[发明专利]一种存储器装置、存储器系统及操作方法

说明书

本发明公开一种存储器装置、存储器系统及操作方法。存储器装置，包含存储器阵列，存储器阵列包括多个存储块；及耦接在所述存储器阵列且用于控制存储器阵列的控制电路；控制电路被配置为：确定未使用过的存储块中底部虚设单元的阈值电压的第一平均值；确定第一平均值和第一参考值之间差值；基于差值判断是否对存储块中底部虚设单元进行编程，使第一平均值达到第一阈值；所述第一阈值用于使在对选定的非边缘字线耦接的存储单元进行编程时边缘字线与相邻的非边缘字线之间的电位差降低；边缘字线为所述多个字线中与源极线相邻的至少一个字线；非边缘字线为多个字线中除边缘字线之外的字线；选定的非边缘字线与边缘字线不相邻。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种存储器装置、存储器系统及操 作方法。

背景技术

非易失性存储器已经广泛应用于各个领域的电子器件中。闪存是可以被电 擦除并重新编程的使用最为广泛的非易失性存储器之一，闪存可以包括NOR 和NAND两种架构的存储器，其中，对闪存中的每一个存储单元的阈值电压改 变为需要的电平以实现各种操作，如读取、编程和擦除。在对闪存操作时，可 以按照块级别执行擦除操作，可以按照页级别执行编程操作，可以按照存储单 元级别执行读取操作。目前，平面结构的NAND闪存已经应用广泛，为了进一 步的提高闪存的存储容量，降低每比特的存储成本，提出了三维(3D)NAND 存储器，其结构包括衬底；位于衬底上设置堆叠结构；贯穿堆叠结构的若干通 道孔；位于通道孔中的存储结构，所述存储结构包括位于所述通道孔侧壁表面 上的电荷存储层和位于电荷存储层侧壁表面上的沟道层，每一个沟道孔中的存 储结构与每一个控制栅相交的位置对应一个存储单元。在该种结构下的3D NAND，对某一通道孔的某一层存储单元执行编程时，存在对其他通道孔的其 他层的存储单元带来热载流子注入(HCI，Hot CarrierInjection)类型的编程干 扰。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种存储器装置、存储器系统及操 作方法，以减小3D NAND执行编程时HCI类型的编程干扰。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明提供一种存储器装置，包含存储器阵列，所述存储器阵 列包括多个存储块；每一个存储块包含多个存储单元串；每一个存储单元串包 含串联的顶部虚设单元、多个存储单元及底部虚设单元；其中，所述顶部虚设 单元连接至位线；所述底部虚设单元连接至源极线；所述底部虚设单元与底部 虚设字线耦接；所述多个存储单元分别与多个字线耦接；所述顶部虚设单元与 顶部虚设字线耦接；

及耦接在所述存储器阵列且用于控制所述存储器阵列的控制电路；

其中，所述控制电路被配置为：

确定未使用过的存储块中底部虚设单元的阈值电压的第一平均值；

确定所述第一平均值和第一参考值之间差值；

基于所述差值判断是否对所述存储块中底部虚设单元进行编程，使所述第 一平均值达到第一阈值；所述第一阈值用于使在对选定的非边缘字线耦接的存 储单元进行编程时边缘字线与相邻的非边缘字线之间的电位差降低；所述边缘 字线为所述多个字线中与所述源极线相邻的至少一个字线；所述非边缘字线为 所述多个字线中除所述边缘字线之外的字线；所述选定的非边缘字线与所述边 缘字线不相邻。

第二方面，本发明还提供一种对存储器装置进行编程的方法，所述存储器 装置包含存储器阵列，所述存储器阵列包括多个存储块；每一个存储块包含多 个存储单元串；每一个存储单元串包含串联的顶部虚设单元、对各存储单元及 底部虚设单元，其中，所述顶部虚设单元连接至位线；所述底部虚设单元连接 至源极线；所述底部虚设单元与底部虚设字线耦接；所述多个存储单元分别与 多个字线耦接；所述顶部虚设单元与顶部虚设字线耦接；所述操作方法包括：

确定未使用过的存储块中底部虚设单元的阈值电压的第一平均值；