[发明专利]一种存储器装置、存储器系统及操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于，包含存储器阵列，所述存储器阵列包括多个存储块；每一个存储块包含多个存储单元串；每一个存储单元串包含串联的顶部虚设单元、多个存储单元及底部虚设单元；其中，所述顶部虚设单元连接至位线；所述底部虚设单元连接至源极线；所述底部虚设单元与底部虚设字线耦接；所述多个存储单元分别与多个字线耦接；所述顶部虚设单元与顶部虚设字线耦接；

及耦接在所述存储器阵列且用于控制所述存储器阵列的控制电路；

其中，所述控制电路被配置为：

确定未使用过的存储块中底部虚设单元的阈值电压的第一平均值；

确定所述第一平均值和第一参考值之间差值；

基于所述差值判断是否对所述存储块中底部虚设单元进行编程，使所述第一平均值达到第一阈值；所述第一阈值用于使在对选定的非边缘字线耦接的存储单元进行编程时边缘字线与相邻的非边缘字线之间的电位差降低；所述边缘字线为所述多个字线中与所述源极线相邻的至少一个字线；所述非边缘字线为所述多个字线中除所述边缘字线之外的字线；所述选定的非边缘字线与所述边缘字线不相邻。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述第一参考值为所述存储块中顶部虚设单元的阈值电压的第二平均值。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其特征在于，所述基于所述差值判断是否对所述存储块中底部虚设单元进行编程，使所述第一平均值达到第一阈值，包括：

在所述差值小于第二参考值时，判定需要对所述存储块中底部虚设单元进行编程，使所述第一平均值达到所述第一阈值；所述第一阈值与所述第一参考值之间的差值不小于所述第二参考值；

在所述差值不小于所述第二参考值时，判定不需要对所述存储块中底部虚设单元进行编程。

4.根据权利要求2所述的存储器装置，其特征在于，所述第二平均值为0伏特。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其特征在于，所述基于所述差值判断是否对所述存储块中底部虚设单元进行编程，使所述第一平均值达到第一阈值，包括：

在所述差值不大于所述第一参考值时，判定需要对所述存储块中底部虚设单元进行编程，使所述第一平均值达到所述第一阈值；所述第一阈值大于所述第一参考值；

在所述差值大于所述第一参考值时，判定不需要对所述存储块中底部虚设单元进行编程。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述控制电路还被配置为：对所述选定的存储单元串中选定的非边缘字线耦接的存储单元进行编程时，对所述多个字线中的边缘字线施加第一通过电压；对与所述边缘字线相邻的非边缘字线施加第二通过电压；所述第一通过电压小于所述第二通过电压。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其特征在于，在所述多个字线从所述源极线开始编号依次为字线WL0、WL1、……、WLm、……、WLn、……时，所述控制电路还被配置为：在所述边缘字线包含字线WL0和字线WL1且所述选定的非边缘字线为字线WLn时，对未选定的非边缘字线WL2至字线WLm施加的所述第二通过电压；对未选定的非边缘字线WLn-4到字线WLm施加的第三通过电压，其中，n不小于17；m不大于15。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其特征在于，所述第三通过电压包含一组不同于所述第一通过电压、所述第二通过电压的电压值。

9.根据权利要求7所述的存储器装置，其特征在于，耦接到所述字线WL0的存储单元为单级单元SLC、多级单元MLC及三级单元TLC存储单元之一；耦接在其余字线的存储单元为四级单元QLC存储单元。