[发明专利]激光焊接装置、焊接系统和激光焊接方法在审
申请号: | 202210410653.1 | 申请日: | 2022-04-19 |
公开(公告)号: | CN114783915A | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 高源;宋祥祎 | 申请(专利权)人: | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/58;H01L21/683;B23K26/00 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张洋 |
地址: | 315400 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 焊接 装置 系统 方法 | ||
本申请提供了一种激光焊接装置、焊接系统和激光焊接方法,涉及芯片贴装技术领域。该激光焊接装置包括主控制模块、激光组件和超声波组件,激光组件包括第一安装块和设于第一安装块上的激光元件,超声波组件包括第二安装块和设于第二安装块上的超声波元件,第一安装块和第二安装块连接在主控制模块上,且激光组件和超声波组件分别与主控制模块通信连接;超声波元件与激光元件用于发射超声波能量和激光能量,以分离芯片和蓝膜。可以避免顶针分离芯片时对芯片造成的损坏,提高芯片质量。
技术领域
本发明涉及芯片贴装技术领域,具体而言,涉及一种激光焊接装置、焊接系统和激光焊接方法。
背景技术
随着半导体行业的快速发展,在贴片封装工艺中,通常需要将芯片和蓝膜分离。现有工艺中,大多采用顶针结构将芯片顶起,再以真空吸附或其它方式将蓝膜与芯片分离。这种分离方式中,由于顶针顶起芯片,使得芯片局部受力,容易导致芯片受力不均从而出现裂痕或其它损伤,严重影响芯片的质量。
发明内容
本发明的目的包括,例如,提供了一种激光焊接装置、焊接系统和激光焊接方法,其能够避免传统工艺中采用顶针分离时对芯片的损坏,提高芯片质量。
本发明的实施例可以这样实现:
第一方面,本发明提供一种激光焊接装置,包括主控制模块、激光组件和超声波组件,所述激光组件包括第一安装块和设于所述第一安装块上的激光元件,所述超声波组件包括第二安装块和设于所述第二安装块上的超声波元件,所述第一安装块和所述第二安装块连接在所述主控制模块上,且所述激光组件和所述超声波组件分别与所述主控制模块通信连接;所述超声波元件与所述激光元件用于发射超声波能量和激光能量,以分离芯片和蓝膜。
在可选的实施方式中,所述第一安装块上设有第一安装槽,所述激光元件设于所述第一安装槽内;所述第二安装块上设有第二安装槽,所述超声波元件设于所述第二安装槽内。
在可选的实施方式中,所述激光元件可拆卸地设于所述第一安装槽内,所述超声波元件可拆卸地设于所述第二安装槽内。
在可选的实施方式中,所述第一安装块上设有安装通孔,所述第二安装块设于所述安装通孔内。
在可选的实施方式中,还包括盖体,所述盖体与所述主控制模块连接,所述激光组件和所述超声波组件设于所述盖体内。
在可选的实施方式中,所述盖体上开设有第一发射孔和第二发射孔,所述第一发射孔与所述激光元件对应设置,所述第二发射孔与所述超声波元件对应设置。
在可选的实施方式中,所述第一发射孔的数量包括多个,相邻两个所述第一发射孔之间设有第一连通槽,所述第一连通槽用于连通多个所述第一发射孔;所述第二发射孔的数量包括多个,相邻两个所述第二发射孔之间设有第二连通槽,所述第二连通槽用于连通多个所述第二发射孔。
在可选的实施方式中,多个所述第一发射孔呈环形均匀分布,所述第二发射孔呈环形均匀分布,所述第一连通槽和所述第二连通槽分别采用弧形槽。
在可选的实施方式中,所述主控制模块上设有第一插接孔和第二插接孔,所述第一插接孔用于与所述激光元件电性连接,所述第二插接孔用于与所述超声波元件电性连接。
第二方面,本发明提供一种焊接系统,包括芯片、蓝膜和如前述实施方式中任一项所述的激光焊接装置,所述芯片设于所述蓝膜上,所述激光焊接装置设于所述蓝膜远离所述芯片的一侧。
在可选的实施方式中,还包括基板,所述基板设于所述芯片远离所述蓝膜的一侧,所述激光焊接装置用于朝所述芯片与所述蓝膜之间发射激光能量和超声波能量,以分离所述蓝膜和所述芯片,使得所述芯片掉落在所述基板上;所述激光焊接装置还用于将掉落后的芯片与所述基板焊接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造