[发明专利]EB～PVD一步法制备含阻扩散层的热障涂层工艺方法

权利要求书

1.一种EB～PVD一步法制备含阻扩散层的热障涂层工艺方法，其特征在于，在真空条件下控制零件的温度和以特定组合形成的复合料锭的电子束蒸发束流的电流，使得复合料锭沉积在零件上，获得沉积零件。

2.根据权利要求1所述的EB～PVD一步法制备含阻扩散层的热障涂层工艺方法，其特征在于，所述零件处于的真空条件低于5×10^～5乇。

3.根据权利要求1所述的EB～PVD一步法制备含阻扩散层的热障涂层工艺方法，其特征在于，所述复合料锭包括50g～90g的NiAl金属料锭、3g～5g的C₁₄H₁₀块体材料和500g～700g的ZrO₂～8Y₂O₃陶瓷料锭，其中NiAl金属料锭中Ni含量为60wt.％～70wt.％，Al含量为30wt.％～40wt.％。

4.根据权利要求3所述的EB～PVD一步法制备含阻扩散层的热障涂层工艺方法，其特征在于，所述NiAl金属料锭和C₁₄H₁₀块体材料均嵌合于ZrO₂～8Y₂O₃陶瓷料锭的表面，且NiAl金属料锭和C₁₄H₁₀块体材料位于同一侧。

5.根据权利要求3所述的EB～PVD一步法制备含阻扩散层的热障涂层工艺方法，其特征在于，所述复合材料的沉积过程包括阻扩散层沉积、金属底层沉积、陶瓷面层沉积和真空扩散。

6.根据权利要求5所述的EB～PVD一步法制备含阻扩散层的热障涂层工艺方法，其特征在于，在阻扩散层沉积时，所述零件的温度为900～950℃；在电子束蒸发束流为0.5～0.6A条件下蒸发C₁₄H₁₀块体材料，蒸发时间为1～2min。

7.根据权利要求5所述的EB～PVD一步法制备含阻扩散层的热障涂层工艺方法，其特征在于，在金属底层沉积时，所述零件的温度为980～1000℃，在电子束蒸发束流为1.2～1.4A条件下蒸发NiAl料锭，蒸发时间为5～15min。

8.根据权利要求5所述的EB～PVD一步法制备含阻扩散层的热障涂层工艺方法，其特征在于，在陶瓷层面沉积时，所述零件的温度为880～900℃，在电子束蒸发束流为1.5～1.6A条件下蒸发ZrO₂～8Y₂O₃陶瓷料锭，蒸发时间为30～40min。

9.根据权利要求8所述的EB～PVD一步法制备含阻扩散层的热障涂层工艺方法，其特征在于，所述零件上的ZrO₂～8Y₂O₃陶瓷层的厚度为100～150μm。

10.根据权利要求5所述的EB～PVD一步法制备含阻扩散层的热障涂层工艺方法，其特征在于，所述真空扩散包括沉积室保温、沉积室炉冷和装载室炉冷；沉积室保温时，零件的温度为1050～1080℃，保温时间为30～60min；保温结束后进行沉积室炉冷；当零件温度低于400℃时，进行装载室炉冷；当零件温度低于100℃时，零件出炉。