[发明专利]基于结构光相移的相位检测方法、电子装置及介质在审
| 申请号: | 202210396128.9 | 申请日: | 2022-04-14 |
| 公开(公告)号: | CN114894747A | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
| 发明(设计)人: | 杜路平;杨爱萍;吴绵满;袁小聪 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
| 主分类号: | G01N21/45 | 分类号: | G01N21/45;G01N21/01 |
| 代理公司: | 深圳尚业知识产权代理事务所(普通合伙) 44503 | 代理人: | 杨勇 |
| 地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 结构 相移 相位 检测 方法 电子 装置 介质 | ||
1.一种基于结构光相移的相位检测方法,其特征在于,包括:
启动激光发射器,发射两束参考光在样品表面生成干涉场;
使用空间光调制器控制两束参考光相位相等,相位记为φ,扫描所述干涉场,得到第一个干涉场的强度信息;
调节所述空间光调制器,以使两束参考光的初始相位向前移动π/2,相位记为φ+π/2,再次扫描所述干涉场,得到第二个干涉场的强度信息;
调节所述空间光调制器,以使两束参考光的初始相位再次向前移动π/2,相位记为φ+π,再次扫描所述干涉场,得到第三个干涉场的强度信息;
调节所述空间光调制器,以使两束参考光的相位再次向前移动π/2,相位记为φ+3π/2,再次扫描所述干涉场,得到第四个干涉场的强度信息;
使用第一个、第二个、第三个、第四个干涉场的强度信息计算待测光场的相位分布。
2.根据权利要求1所述的基于结构光相移的相位检测方法,其特征在于,
所述干涉场的生成方法包括:使用两束所述参考光在所述样品表面形成结构光条纹,两束所述参考光与所述样品表面的待测光场发生干涉后,生成干涉场,所述待测光场为Ei,两束参考光形成的结构光条纹分别为第一光场E1和第二光场E2,所述干涉场的光场分布为Et。
3.根据权利要求2所述的基于结构光相移的相位检测方法,其特征在于,
所述干涉场的强度信息的计算方法包括:
使用所述干涉场的光场分布计算所述干涉场的光场强度,得到所述干涉场的光场强度的第一表达式;
控制两束所述参考光的振幅相同,计算所第一表达式,得到所述干涉场的光场强度的第二表达式;
设置两束所述参考光的初始相位相同,计算所述第二表达式,得到所述干涉场的第三表达式;
使用所述第三表达式,计算初始相位Φ的待测光场与两束参考光干涉以后的新的场分布的强度信息,得到所述干涉场的强度信息计算关系式Et(Φ)。
4.根据权利要求3所述的基于结构光相移的相位检测方法,其特征在于,
所述待测光场的相位分布的计算方法包括:
根据所述干涉场的强度信息计算关系式,得到第一个、第二个、第三个、第四个干涉场的强度信息;
使用第一个干涉场的强度信息减去第三个干涉场的强度信息,得到第一差值表达式;
使用第二个干涉场的强度信息减去第四个干涉场的强度信息,得到第二差值表达式;
结合所述第一差值表达式和所述第二差值表达式,计算得到所述待测光场的相位分布。
5.根据权利要求4所述的基于结构光相移的相位检测方法,其特征在于,
所述待测光场Ei、第一光场E1、所述第二光场E2和所述干涉场的光场分布Et的表达式分别为:
其中v表示振幅,ksp表示波矢,表示参考光的初始相位;
6.根据权利要求5所述的基于结构光相移的相位检测方法,其特征在于,
所述第一表达式为:
所述基于结构光相移的相位检测方法还包括:对所述第一表达式进行化简,得到:
控制两束所述参考光的振幅相同,得到v1=v2=v,所述第二表达式为:
所述两束所述参考光的初始相位相同为Φ,得到所述第三表达式为:
所述干涉场的强度信息计算关系式Et(Φ)为:
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