[发明专利]静电保护结构、静电保护电路、芯片

权利要求书

1.一种静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路包括：

第一PNP型三极管，发射极连接第一信号端，基极连接第一节点，集电极连接第二节点，其中，所述第一信号端连接所述第一节点；

第一NPN型三极管，发射极连接第二信号端，基极连接所述第二节点，集电极连接所述第一节点；

控制电路，连接所述第一信号端、第二信号端、第一节点，用于根据所述第一信号端和第二信号端的信号将所述第一信号端和第二信号端中的低电平信号端连接到所述第一节点。

2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路还包括：

第二PNP型三极管，发射极连接第二信号端，基极连接第三节点，集电极连接第四节点；

第二NPN型三极管，发射极连接所述第一信号端，基极连接所述第四节点，集电极连接所述第三节点；

所述控制电路还连接所述第三节点，用于根据所述第一信号端和第二信号端的信号将所述第一信号端和第二信号端中的低电平信号端连接到所述第三节点。

3.根据权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于，所述控制电路包括：

第一晶体管，第一极连接所述第一节点，第二极连接所述第二信号端，栅极连接第五节点；

第二晶体管，第一极连接所述第二信号端，第二极连接所述第五节点，栅极连接所述第一信号端；

第三晶体管，第一极连接所述第一信号端，第二极连接所述第五节点，栅极连接所述第二信号端；

第四晶体管，第一极连接所述第三节点，第二极连接所述第一信号端，栅极连接所述第五节点；

其中，所述第一晶体管、第四晶体管同为gg-NMOS，所述第二晶体管、第三晶体管同为N型晶体管。

4.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述控制电路包括：

第五晶体管，第一极连接所述第二信号端，第二极连接第五节点，栅极连接所述第一信号端；

第六晶体管，第一极连接所述第一信号端，第二极连接所述第五节点，栅极连接所述第二信号端；

其中，所述第五节点连接所述第一节点，且所述第五晶体管和所述第六晶体管为N型晶体管。

5.根据权利要求4所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路还包括：

至少一个第一二极管，至少一个所述第一二极管串联于所述第一节点和第五节点之间，且所述第一节点连接所述第一二极管的阳极，所述第五节点连接所述第一二极管的阴极。

6.根据权利要求5所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路还包括：

第二PNP型三极管，发射极连接第二信号端，基极连接第三节点，集电极连接第四节点；

第二NPN型三极管，发射极连接所述第一信号端，基极连接所述第四节点，集电极连接所述第三节点；

其中，所述第三节点连接所述第一节点；

第二二极管，所述第二二极管的阳极连接所述第一信号端，阴极连接所述第一节点；

第三二极管，所述第三二极管的阳极连接所述第二信号端，阴极连接所述第三节点。

7.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路还包括：

第四二极管，阳极连接所述第二信号端，阴极连接所述第一信号端；

第二PNP型三极管，发射极连接所述第一信号端，基极连接第三节点，集电极连接第四节点；

第二NPN型三极管，发射极连接第三信号端，基极连接所述第四节点，集电极连接所述第三节点；

第五二极管，阳极连接所述第三信号端，阴极连接所述第一信号端；

所述控制电路还连接所述第三节点，用于根据所述第一信号端和第三信号端的信号将所述第一信号端和第三信号端中的低电平信号端连接到所述第三节点。