[发明专利]芯片掉电保护方法、装置、芯片及存储介质

说明书

本发明公开了一种芯片掉电保护方法、装置、芯片及存储介质。其中，芯片掉电保护方法包括：通过AD采集通道采集芯片的内部基准电压AD值；在根据内部基准电压AD值确定芯片的供电电压小于第一预设电压时，控制芯片执行掉电记忆操作，并在根据内部基准电压AD值确定芯片的供电电压小于第二预设电压时，控制芯片执行复位操作。由此，该芯片掉电保护方法通过采集芯片内部基准电压的AD值，并根据采集到的AD值确定出芯片的供电电压，再将该供电电压与预设电压进行比较以判定是否需要触发芯片复位或者启动芯片掉电记忆操作，从而能够防止对Flash上的数据进行频繁擦写，提高芯片的使用寿命，同时降低芯片掉电保护的控制成本。

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种芯片掉电保护方法、一种芯片掉电保护装置、一种芯片和一种计算机可读存储介质。

背景技术

电子的发展始终伴随着芯片技术的不断更新，当前很多电子产品都有低电压检测复位和掉电记忆的需求，很多用户对芯片的低电压检测复位的可靠性提出了比较高的要求，很多应用场景都希望在掉电时能保存掉电前的工作状态，保证下次上电时可以恢复到掉电前的工作状态。

在相关技术中，大多数芯片并没有集成低电压检测的功能，用户在使用时无法开启低电压检测复位操作，也无法确认启动掉电记忆的时机，为了控制成本，用户会将掉电记忆的数据保存到芯片的Flash中，而如果频繁去擦写Flash保存数据则会严重影响芯片的使用寿命，用户选择增加一颗低电压检测芯片，又额外增加了成本。另外低电压检测模块通过不同分压比实现，可设置的低电压档位一般较少，有些用户的需求无法满足。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种芯片掉电保护方法，该芯片掉电保护方法通过采集芯片内部基准电压的AD值，并根据采集到的AD值确定出芯片的供电电压，再将该供电电压与预设电压进行比较以判定是否需要触发芯片复位或者启动芯片掉电记忆操作，从而能够防止对Flash上的数据进行频繁擦写，提高芯片的使用寿命，同时降低芯片掉电保护的控制成本。

本发明的第二个目的在于提出一种芯片掉电保护装置。

本发明的第三个目的在于提出一种芯片。

本发明的第四个目的在于提出一种计算机可读存储介质。

为达上述目的，本发明第一方面实施例提出了一种芯片掉电保护方法，该芯片包括AD采集通道，该保护方法包括：通过所述AD采集通道采集所述芯片的内部基准电压AD值；在根据所述内部基准电压AD值确定所述芯片的供电电压小于第一预设电压时，控制所述芯片执行掉电记忆操作，并在根据所述内部基准电压AD值确定所述芯片的供电电压小于第二预设电压时，控制所述芯片执行复位操作，其中，所述第二预设电压小于所述第一预设电压。

本发明实施例的芯片掉电保护方法，通过AD采集通道对芯片的内部基准电压AD值进行采集，根据内部基准电压AD值确定芯片的供电电压，并在该供电电压小于第一预设电压时，控制芯片执行掉电记忆操作，再根据内部基准电压AD值确定芯片的供电电压，在该供电电压小于第二预设电压时，控制所述芯片执行复位操作，其中，第二预设电压要小于第一预设电压。由此，本发明实施例芯片掉电保护方法通过采集芯片内部基准电压的AD值，并根据采集到的AD值确定出芯片的供电电压，再将该供电电压与预设电压进行比较以判定是否需要触发芯片复位或者启动芯片掉电记忆操作，从而能够防止频繁对Flash进行擦写，提高芯片的使用寿命，同时降低芯片掉电保护的控制成本。

在本发明的一些实施例中，根据所述内部基准电压AD值确定所述芯片的供电电压小于第二预设电压，包括：在连续多个所述内部基准电压AD值均大于第一预设值时，确定所述芯片的供电电压小于第二预设电压。

在本发明的一些实施例中，根据所述内部基准电压AD值确定所述芯片的供电电压小于第一预设电压，包括：在所述内部基准电压AD值小于等于所述第一预设值、且大于第二预设值时，确定所述芯片的供电电压小于第一预设电压。