[发明专利]一种功率半导体器件的驱动电路

权利要求书

1.一种功率半导体器件的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括：前馈电路，所述前馈电路包括：瞬态电压抑制二极管，前馈电容，第一前馈电阻，第二前馈电阻，第一二极管和第二二极管；其中，所述瞬态电压抑制二极管的阴极连接所述功率半导体器件的漏极或者集电极，所述瞬态电压抑制二极管的阳极连接至所述前馈电容的一端，所述前馈电容的一端分别连接至所述第一前馈电阻的一端与所述第一二极管的阳极，所述第一二极管的阴极连接所述第二前馈电阻的一端，所述第二前馈电阻的另一端连接至所述功率半导体器件的门极，所述第一前馈电阻的另一端连接至所述第二二极管的阴极，所述第二二极管的阳极连接至所述驱动电路的电源的第二电源；其中，

所述前馈电路用于在所述功率半导体器件关断时，对所述门极电容进行充电以降低所述门极电压的下降速率；

所述前馈电路还用于在所述功率半导体器件导通时，对所述前馈电容进行放电。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述驱动电路包括：谐振电路，所述谐振电路包括：谐振电阻，谐振电感和谐振电容，所述谐振电阻和所述谐振电感相互串联得到串联电路，所述串联电路的一端连接所述驱动电路的隔离器件的输出端，所述串联电路的另一端分别连接所述驱动电路的放大电路的输入端和所述谐振电容的一端，所述谐振电容的另一端连接所述电源的参考地；

所述谐振电路处于欠阻尼状态，用于输出所述放大电路的参考电压；其中，所述参考电压为预设变化速率的电压。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述前馈电路还包括：三极管，第三二极管，第三前馈电阻和第四前馈电阻；其中，

所所述第三前馈电阻设置于所述第一前馈电阻和所述第二二极管之间，所述三极管的基极连接至所述第一前馈电阻和所述第三前馈电阻的连接点，所述三极管的集电极连接至所述电源的第一电源的正极，所述三极管的发射极连接至所述第二二极管的阴极，所述第四前馈电阻的一端连接至第三二极管的阳极，所述第四前馈电阻的另一端连接至所述三极管的发射极，所述第三二极管的阴极连接至所述放大电路的输入端；

所述前馈电路用于在所述功率半导体器件关断时，所述三极管放大后的电流流经所述第四前馈电阻和所述第三二极管后对所述谐振电容进行充电，以降低所述参考电压的下降速率。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述前馈电路还包括：第四二极管，所述第四二极管的阳极连接至所述三极管的基极，所述第四二极管的阴极连接至所述三极管的集电极；其中，

所述第四二极管用于将所述三极管的基极电压钳位至所述第一电源的电源电压。

5.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述谐振电路还包括：稳压电路；所述稳压电路的一端连接所述放大电路的输入端，所述稳压电路的另一端连接所述参考地；其中，

所述稳压电路用于对所述参考电压进行钳制，使得所述参考电压落入预设的电压范围内。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述稳压电路包括：第一稳压管和第二稳压管；其中，

所述第一稳压管的阳极连接至所述第二稳压管的阳极相连接，所述第一稳压管的阴极连接至所述放大电路的输入端，所述第二稳压管的阴极连接至所述参考地。

7.根据权利要求2至6任一项所述的电路，其特征在于，所述谐振电容的电容值与，所述功率半导体器件的门极电容与所述放大电路的放大倍数的比值，成正相关。

8.根据权利要求2至6任一项所述的电路，其特征在于，所述谐振电感的电感值与，所述谐振电路的角频率的平方与所述谐振电容的电容值的乘积，成反相关。

9.根据权利要求2至6任一项所述的电路，其特征在于，所述谐振电阻的电阻值与，所述谐振电感的电感值与所述谐振电容的电容值的比值的开方与所述谐振电路的阻尼比的乘积，成正相关。

10.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述谐振电路的阻尼比大于等于0.2小于等于0.5。