[发明专利]存储器设备

说明书

公开了一种存储器设备，包括：基于来自外部设备的行地址来生成字线(WL)控制信号的行解码器；包括连接到字线的存储器单元的第一子阵列；基于与奇数编号的字线相对应的奇数编号的WL控制信号来向字线中奇数编号的字线提供选择电压或非选择电压的第一子字线驱动器(SWD)；以及基于与偶数编号的字线相对应的偶数编号的WL控制信号来向字线中偶数编号的字线提供选择电压或非选择电压的第二SWD。第一SWD响应于偶数编号的WL控制信号来向偶数编号的字线的非选择字线施加非选择电压，并且第二SWD响应于奇数编号的WL控制信号来向奇数编号的字线的非选择字线施加非选择电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年4月5日向韩国知识产权局提交的第10-2021-0044200号韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体结合于此。

技术领域

本公开涉及存储器设备。

背景技术

半导体存储器设备可以被分类为易失性存储器设备(其中所存储的数据在电力供应中断时消失，诸如静态随机访问存储器(static random access memory，SRAM)或动态随机访问存储器(dynamic random access memory，DRAM))，或者非易失性存储器设备(其中所存储的数据即使在电力供应中断时也会被保留，诸如闪存设备、相变RAM(phase-changeRAM，PRAM)、磁RAM(magnetic RAM，MRAM)、电阻型RAM(resistive RAM，RRAM)或铁电RAM(ferroelectric RAM，FRAM))。

DRAM设备包括与字线和位线连接的存储器单元。在DRAM设备的读取操作或写入操作中，当高电压被施加到所选字线时，所选字线被使能。在这种情况下，与所选字线相邻的字线(即，未选字线)保持低电压。然而，由所选字线和相邻字线之间的耦合引起的噪声可能被引入到相邻字线中，从而降低DRAM设备的可靠性。

发明内容

本公开的实施例通过减少/防止由字线之间的耦合引起的噪声来提供具有改进的可靠性的存储器设备。

根据实施例，存储器设备包括：基于从外部设备接收到的行地址来生成多个字线控制信号的行解码器；包括连接到多条字线的多个存储器单元的第一子阵列；基于与奇数编号的字线相对应的奇数编号的字线控制信号，向多条字线中奇数编号的字线提供选择电压或非选择电压的第一子字线驱动器；以及基于与偶数编号的字线相对应的偶数编号的字线控制信号，向多条字线中偶数编号的字线提供选择电压或非选择电压的第二子字线驱动器。第一子字线驱动器被配置为响应于偶数编号的字线控制信号，将非选择电压施加到偶数编号的字线的非选择字线，并且第二子字线驱动器被配置为响应于奇数编号的字线控制信号，将非选择电压施加到奇数编号的字线的非选择字线。

根据实施例，存储器设备包括：基于从外部设备接收到的行地址来生成第一字线选择信号、第一字线非选择信号、第二字线选择信号和第二字线非选择信号的行解码器；包括连接到第一字线的多个第一存储器单元和连接到第二字线的多个第二存储器单元的第一子阵列；连接到第一字线的第一子字线驱动器，其被配置为响应于第一字线选择信号将选择电压施加到第一字线，并且响应于第一字线非选择信号将非选择电压施加到第一字线；以及连接到第二字线的第二子字线驱动器，其被配置为响应于第二字线选择信号将选择电压施加到第二字线，并且响应于第二字线非选择信号将非选择电压施加到第二字线。第一子字线驱动器连接到第二字线，并且被配置为响应于第二字线非选择信号将非选择电压施加到第二字线，第二子字线驱动器连接到第一字线，并且被配置为响应于第一字线非选择信号将非选择电压施加到第一字线。

根据实施例，存储器设备包括：包括存储电容器以及连接在存储电容器和第一字线之间的选择晶体管的第一存储器单元；连接到第一字线的第一端并且被配置为响应于第一字线控制信号将选择电压和非选择电压之一施加到第一字线的第一子字线驱动器；以及连接到第一字线的第二端的第二子字线驱动器。响应于第一字线控制信号，第二子字线驱动器被配置为浮置(float)第一字线或将非选择电压施加到第一字线。