[发明专利]化学镀不同厚度的金属的方法、器件的封装方法

说明书

本发明提供了一种化学镀不同厚度的金属的方法及器件的封装方法。在化学镀之前，使部分金属垫电连接N型掺杂区，以提高该部分金属垫在化学镀工艺中发生置换反应时的反应效率，从而可以在同一化学镀过程中，使得连接有N型掺杂区的金属垫上能够形成厚度更大的化学镀金属，满足其对化学镀金属的厚度需求，同时避免了其他金属垫上的化学镀金属的厚度过大而造成不必要的资料浪费，有效降低生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种化学镀不同厚度的金属的方法及器件的封装方法。

背景技术

化学镀是一种新型的金属表面处理技术，其具体是在金属的催化作用下，通过可控制的氧化还原反应产生金属的沉积过程。与电镀相比，化学镀技术具有镀层均匀、工艺灵活、无需直流电源设备等特性，在许多领域中化学镀技术已取代电镀技术而成为一种环保的表面处理工艺。例如，目前市场火热的车载功率器件中，其追求更高性能的封装要求，为此，通常会利用化学镀工艺形成金属焊盘。

在半导体的加工中，同一衬底上一般会形成有多个金属焊盘，不同的金属焊盘会根据其具体应用而设置不同的电性引出方式，针对不同的电性引出方式而言其对金属焊盘的参数要求也不尽相同。例如，一部分金属焊盘中要求其顶层金属层应当具有较大的厚度；而一部分金属焊盘中则对其顶层金属层的厚度无严格要求，只要顶层金属层能够完整覆盖其下方的金属层即可。即使如此，在实际的加工中仍然只能以最大厚度需求为加工目标执行化学镀工艺，以制备各个金属焊盘中的金属层。

具体而言，在执行化学镀工艺以形成金属焊盘中的金属层时，衬底浸入至化学镀的镀液中，此时衬底上的多个化学镀区域即会基于相同的速率，而形成厚度均一的化学镀金属。因此，为了满足最大厚度的金属层的需求，则使得所有的金属焊盘上所形成的化学镀金属均以最大厚度设置，导致了资源的浪费，成本增加。

发明内容

本发明的目的在于提供一种化学镀不同厚度的金属的方法，以解决现有的化学镀工艺存在资源浪费的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种化学镀不同厚度的金属的方法，包括：在一衬底上形成至少两个金属垫，并执行化学镀工艺以在所述金属垫上形成化学镀金属。其中，在执行所述化学镀工艺之前，所述方法还包括：形成N型掺杂区，并且至少一个金属垫电连接所述N型掺杂区，以在执行所述化学镀工艺时，使得连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度大于未连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度。

可选的，所述N型掺杂区位于所述金属垫的下方，所述金属垫和所述N型掺杂区之间利用导电插塞电连接。

可选的，所述金属垫和所述N型掺杂区之间仅通过导电插塞电连接，所述导电插塞的两端直接接触所述N型掺杂区和所述金属垫。

可选的，所述衬底上形成有多层层间介质层，所述N型掺杂区掩埋在顶层的层间介质层的下方，所述金属垫形成在顶层的层间介质层上。

可选的，所述N型掺杂区的形成方法包括：在形成顶层的层间介质层之前，形成N型掺杂材料层。

可选的，所述N掺杂区的离子掺杂浓度大于等于1E20/cm²。

可选的，所述化学镀金属包括金，连接有N型掺杂区的金属垫上的金层的厚度大于等于35nm，未连接有N型掺杂区的金属垫上的金层的厚度大于20nm。

可选的，执行化学镀工艺以在所述金属垫上形成至少两层化学镀金属，其中连接有N型掺杂区的金属垫上的顶层化学镀金属具有第一厚度，未连接有N型掺杂区的金属垫上的顶层化学镀金属具有第二厚度，第一厚度大于1.5倍的第二厚度。

可选的，执行化学镀工艺以在所述金属垫上依次形成钯金属层、镍金属层和金层。