[发明专利]化学镀不同厚度的金属的方法、器件的封装方法有效
| 申请号: | 202210335623.9 | 申请日: | 2022-04-01 |
| 公开(公告)号: | CN114481100B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
| 发明(设计)人: | 眭小超 | 申请(专利权)人: | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C18/16 | 分类号: | C23C18/16;C23C18/32;C23C18/42;H01L21/48 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 312000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 化学 不同 厚度 金属 方法 器件 封装 | ||
1.一种化学镀不同厚度的金属的方法,其特征在于,包括:在一衬底上形成至少两个金属垫,并执行化学镀工艺以在所述金属垫上形成化学镀金属;
其中,在执行所述化学镀工艺之前,所述方法还包括:形成N型掺杂区,并且至少一个金属垫电连接所述N型掺杂区,以在执行所述化学镀工艺时,使得连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度大于未连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度。
2.如权利要求1所述的化学镀不同厚度的金属的方法,其特征在于,所述N型掺杂区位于所述金属垫的下方,所述金属垫和所述N型掺杂区之间仅通过导电插塞电连接,所述导电插塞的两端直接接触所述N型掺杂区和所述金属垫。
3.如权利要求1所述的化学镀不同厚度的金属的方法,其特征在于,所述衬底上形成有多层层间介质层,所述N型掺杂区掩埋在顶层的层间介质层的下方,所述金属垫形成在顶层的层间介质层上。
4.如权利要求3所述的化学镀不同厚度的金属的方法,其特征在于,所述N型掺杂区的形成方法包括:在形成顶层的层间介质层之前,形成N型掺杂材料层。
5.如权利要求1所述的化学镀不同厚度的金属的方法,其特征在于,所述N型掺杂区的离子掺杂浓度大于等于1E20/cm2。
6.如权利要求1所述的化学镀不同厚度的金属的方法,其特征在于,所述化学镀金属包括金,连接有N型掺杂区的金属垫上的金层的厚度大于等于35nm,未连接有N型掺杂区的金属垫上的金层的厚度大于20nm。
7.如权利要求1所述的化学镀不同厚度的金属的方法,其特征在于,执行化学镀工艺以在所述金属垫上形成至少两层化学镀金属,其中连接有N型掺杂区的金属垫上的顶层化学镀金属具有第一厚度,未连接有N型掺杂区的金属垫上的顶层化学镀金属具有第二厚度,第一厚度大于1.5倍的第二厚度。
8.如权利要求1-7任一项所述的化学镀不同厚度的金属的方法,其特征在于,执行化学镀工艺以在所述金属垫上依次形成钯金属层、镍金属层和金层。
9.一种器件的封装方法,其特征在于,包括:
采用如权利要求1-8任一项所述的化学镀不同厚度的金属的方法,在至少两个金属垫上形成化学镀金属,其中连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度大于未连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度;
对厚度较大的化学镀金属进行引线键合,以及在厚度较小的化学镀金属上制备Clip金属。
10.如权利要求9所述的器件的封装方法, 其特征在于,所述器件包括IGBT器件,所述IGBT的栅极金属垫连接所述N型掺杂区,所述IGBT器件的发射极金属垫未连接所述N型掺杂区。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理





