[发明专利]化学镀不同厚度的金属的方法、器件的封装方法有效

专利信息
申请号: 202210335623.9 申请日: 2022-04-01
公开(公告)号: CN114481100B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 眭小超 申请(专利权)人: 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
主分类号: C23C18/16 分类号: C23C18/16;C23C18/32;C23C18/42;H01L21/48
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 312000 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 化学 不同 厚度 金属 方法 器件 封装
【权利要求书】:

1.一种化学镀不同厚度的金属的方法,其特征在于,包括:在一衬底上形成至少两个金属垫,并执行化学镀工艺以在所述金属垫上形成化学镀金属;

其中,在执行所述化学镀工艺之前,所述方法还包括:形成N型掺杂区,并且至少一个金属垫电连接所述N型掺杂区,以在执行所述化学镀工艺时,使得连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度大于未连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度。

2.如权利要求1所述的化学镀不同厚度的金属的方法,其特征在于,所述N型掺杂区位于所述金属垫的下方,所述金属垫和所述N型掺杂区之间仅通过导电插塞电连接,所述导电插塞的两端直接接触所述N型掺杂区和所述金属垫。

3.如权利要求1所述的化学镀不同厚度的金属的方法,其特征在于,所述衬底上形成有多层层间介质层,所述N型掺杂区掩埋在顶层的层间介质层的下方,所述金属垫形成在顶层的层间介质层上。

4.如权利要求3所述的化学镀不同厚度的金属的方法,其特征在于,所述N型掺杂区的形成方法包括:在形成顶层的层间介质层之前,形成N型掺杂材料层。

5.如权利要求1所述的化学镀不同厚度的金属的方法,其特征在于,所述N型掺杂区的离子掺杂浓度大于等于1E20/cm2

6.如权利要求1所述的化学镀不同厚度的金属的方法,其特征在于,所述化学镀金属包括金,连接有N型掺杂区的金属垫上的金层的厚度大于等于35nm,未连接有N型掺杂区的金属垫上的金层的厚度大于20nm。

7.如权利要求1所述的化学镀不同厚度的金属的方法,其特征在于,执行化学镀工艺以在所述金属垫上形成至少两层化学镀金属,其中连接有N型掺杂区的金属垫上的顶层化学镀金属具有第一厚度,未连接有N型掺杂区的金属垫上的顶层化学镀金属具有第二厚度,第一厚度大于1.5倍的第二厚度。

8.如权利要求1-7任一项所述的化学镀不同厚度的金属的方法,其特征在于,执行化学镀工艺以在所述金属垫上依次形成钯金属层、镍金属层和金层。

9.一种器件的封装方法,其特征在于,包括:

采用如权利要求1-8任一项所述的化学镀不同厚度的金属的方法,在至少两个金属垫上形成化学镀金属,其中连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度大于未连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度;

对厚度较大的化学镀金属进行引线键合,以及在厚度较小的化学镀金属上制备Clip金属。

10.如权利要求9所述的器件的封装方法, 其特征在于,所述器件包括IGBT器件,所述IGBT的栅极金属垫连接所述N型掺杂区,所述IGBT器件的发射极金属垫未连接所述N型掺杂区。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司,未经绍兴中芯集成电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210335623.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top