[发明专利]陶瓷电子部件及其制造方法在审
申请号: | 202210322821.1 | 申请日: | 2022-03-30 |
公开(公告)号: | CN115148498A | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 加藤洋一 | 申请(专利权)人: | 太阳诱电株式会社 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/12;H01G4/008;H01G4/232 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;熊剑 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 电子 部件 及其 制造 方法 | ||
本申请涉及陶瓷电子部件及其制造方法。一种陶瓷电子部件,包括层叠结构,其中多个内部电极层中的每一个和三个以上主成分是陶瓷的电介质层中的每一个交替层叠。三个以上电介质层包括Sn。在三个以上电介质层中的至少两个的关系中,层叠方向上更靠近最外端的电介质层的Sn浓度低于层叠方向上位于中央侧的电介质层的Sn浓度。
技术领域
本发明的特定方面涉及陶瓷电子部件和陶瓷电子部件的制造方法。
背景技术
诸如层叠陶瓷电容器的层叠陶瓷电子部件具有内部电极层夹持电介质层并层叠而成的结构。由于被内部电极层夹持的电介质层的铁电特性,层叠陶瓷电子部件实现了大的静电电容密度(例如,参见国际公开号2014/024538)。
发明内容
根据本发明的一个方面,提供一种陶瓷电子部件,包括:层叠结构,其中,多个内部电极层中的每一个和三个以上主成分是陶瓷的电介质层中的每一个交替层叠,其中,三个以上电介质层包括Sn,其中,在三个以上电介质层中的至少两个的关系中,层叠方向上更靠近最外端的电介质层的Sn浓度低于所述层叠方向上位于中央侧的电介质层的Sn浓度。
根据本发明的另一个方面,提供了一种陶瓷电子部件的制造方法,包括:通过在包含陶瓷粉末和Sn源的每个电介质生片上形成包含金属粉末的每个内部电极图案来形成层叠单元;通过层叠三个或更多个层叠单元来形成层叠结构;烧制层叠结构,其中,在烧制前的至少两个电介质生片的关系中,层叠方向上更靠近最外端的电介质生片的Sn浓度低于所述层叠方向上位于中央侧的电介质生片的Sn浓度。
附图说明
图1是示出层叠陶瓷电容器的立体图,其中示出层叠陶瓷电容器的一部分的剖面;
图2示出沿图1的线A-A截取的剖视图;
图3示出沿图1的线B-B截取的剖视图;
图4A和图4B示出Sn浓度;
图5示出Sn浓度;
图6示出层叠陶瓷电容器的制造方法;以及
图7A和图7B示出层叠过程。
具体实施方式
内部电极层的金属可能在烧制过程中扩散并固溶在电介质层的主成分陶瓷中。当内部电极层的金属固溶在电介质层的主成分陶瓷中时,在电介质层的主成分陶瓷中形成氧缺陷。电介质层的绝缘特性劣化。并且,陶瓷电子部件的寿命可能会缩短。
因此,Sn固溶在电介质层的主成分陶瓷中,抑制了内部电极的主成分金属的固溶。电介质层的绝缘特性得到改善。并且,可以延长寿命。
然而,Sn促进电介质层的烧结并促进内部电极层的球化(spheroidizing)。因此,可以通过添加Sn来提高电介质层的绝缘特性。另一方面,由球化引起的层叠结构的紊乱可能会降低静电容量。
将参照附图给出对实施例的说明。
(实施例)
图1示出根据实施例的层叠陶瓷电容器100的立体图,其中示出了层叠陶瓷电容器100的一部分的剖面。图2示出沿图1的线A-A截取的剖视图。图3示出了沿图1的线B-B截取的剖视图。如图1至图3所示,层叠陶瓷电容器100包括:具有长方体形状的层叠芯片10以及分别设置在层叠芯片10的彼此相反的两个端面上的外部电极对20a、20b。在除了层叠芯片10的两个端面之外的四个面中,将除了层叠芯片10在层叠方向上的上表面和下表面以外的两个面称为侧面。外部电极20a和20b延伸到层叠芯片10的上表面、下表面和两个侧面。然而,外部电极20a和20b彼此隔开。
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