[发明专利]陶瓷电子部件及其制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷电子部件，包括：

层叠结构，在所述层叠结构中多个内部电极层与三个以上电介质层交替层叠，所述电介质层的主成分是陶瓷；

其中，所述三个以上电介质层包括Sn，

其中，在所述三个以上电介质层中的至少两个的关系中，层叠方向上更靠近最外端的电介质层的Sn浓度低于所述层叠方向上位于中央侧的电介质层的Sn浓度。

2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中，在从多个电介质层的中央层到所述多个电介质层的最外层的多个电介质层的一部分中，所述多个电介质层的最外层的Sn浓度最小。

3.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中，所述层叠方向上从最外端到中央侧的电介质层中，外端的电介质层的Sn浓度低于中央侧的其余电介质层的Sn浓度。

4.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中，所述层叠方向上从中央电介质层到最外电介质层的电介质层的Sn浓度逐渐减小，或者所述层叠方向上从所述中央电介质层到所述最外电介质层的电介质层的Sn浓度阶梯状地减小。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，对于所述三个以上电介质层的Sn浓度，最小Sn浓度与最大Sn浓度的比率为2:3以下。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的陶瓷电子部件，

其中，所述三个以上电介质层具有钙钛矿结构，

其中，对于所述三个以上电介质层的Sn浓度，Sn/B位的最小元素比与Sn/B位的最大元素比之差为0.001以上。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的陶瓷电子部件，

其中，所述三个以上电介质层的主成分陶瓷是钛酸钡，

其中，所述多个内部电极层的主成分金属是镍。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，所述三个以上电介质层的厚度为5μm以下。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，所述三个以上电介质层的Sn浓度为5at％以下。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，所述多个内部电极层的Sn浓度为0.1at％以上。

11.一种制造陶瓷电子部件的方法，包括以下步骤：

通过在包含陶瓷粉末和Sn源的一个电介质生片上形成包含金属粉末的一个内部电极图案来形成层叠单元；

通过层叠三个或更多个层叠单元来形成层叠结构；

烧制所述层叠结构，

其中，在烧制前的至少两个电介质生片的关系中，层叠方向上更靠近最外端的电介质生片的Sn浓度低于所述层叠方向上位于中央侧的电介质生片的Sn浓度。