[发明专利]集成电路装置的形成方法在审
| 申请号： | 202210322523.2 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN114975271A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 张哲纶;郭俊铭;蔡济印;彭远清 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成电路装置的形成方法，包括：
接收一基板；
形成一堆叠于该基板上，且形成该堆叠的步骤包括：
形成一第一层于该基板上，且该第一层具有一第一半导体元素；
形成一第二层于该第一层上，该第二层具有一第二半导体元素，且该第一半导体元素与该第二半导体元素不同；
其中该第二层的一第一区具有一第一浓度的该第二半导体元素，该第二层的一第二区具有一第二浓度的该第二半导体元素，且该第一浓度与该第二浓度不同；以及
形成一第三层于该第二层上，且该第三层具有该第一半导体元素；蚀刻一源极/漏极沟槽于该堆叠的一区域中，以露出该堆叠的侧壁表面；
自该堆叠的露出的侧壁表面移除该第二层的第一部分，以形成一间隙于该第一层与该第三层之间；
形成一间隔物于该间隙中；以及
形成一源极/漏极结构于该源极/漏极沟槽之中以及该间隔物的侧壁之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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