[发明专利]太阳能电池及其光伏组件

说明书

本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件，包括硅基底、位于硅基底的前表面且在远离硅基底的方向上依次设置的氮化硅层和隔绝层以及穿透氮化硅层和隔绝层且与硅基底形成电连接的第一电极、位于硅基底的后表面且在远离硅基底的方向上设置的背钝化叠层以及穿过背钝化叠层与硅基底形成电连接的第二电极；隔绝层中组分元素重量百分比为：Si占75%‑94%，N占5%‑13%，O占6%‑16%；隔绝层包括至少一层氮氧化硅层，其总厚度为5nm‑35nm。本申请通过在太阳能电池的前表面增设隔绝层，能提升电池前表面的钝化效果，增强表面载流子浓度，减弱其表面的载流子复合，提高电池效率，同时起到抗PID的作用。

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及其光伏组件。

背景技术

在当今能源短缺的情况下，太阳能电池作为一种可再生资源，引起了广泛关注。另外，由于太阳能电池不会引起环境污染，因此太阳能电池行业在世界各地受到了极大的关注。相关技术中，太阳能电池在发电过程中，电池片表面载流子复合严重，降低了表面载流子浓度，进而使得电池短路电流降低，从而降低了太阳能电池的发电效率。

发明内容

本申请提供了一种太阳能电池及其光伏组件，以解决现有太阳能电池的电池片表面载流子复合严重的问题。

根据本申请的第一方面，本申请提供一种太阳能电池，包括：

硅基底；

位于所述硅基底的前表面且在远离所述硅基底的方向上依次设置的氮化硅层和隔绝层以及穿透所述氮化硅层和所述隔绝层且与所述硅基底形成电连接的第一电极；其中，在所述隔绝层中，其组分元素的重量百分比分别为：Si占75%-94%，N占5%-13%；O占6%-16%；所述隔绝层包括至少一层氮氧化硅层，所述至少一层氮氧化硅层的总厚度在5nm至35nm之间；

位于所述硅基底的后表面且在远离所述硅基底的方向上设置的背钝化叠层以及穿过所述背钝化叠层与所述硅基底形成电连接的第二电极。

在一种可能的设计中，所述至少一层氮氧化硅层的总体折射率在1.5至1.9之间。

在一种可能的设计中，所述至少一层氮氧化硅层包括层叠设置的多层氮氧化硅单元层，在远离所述硅基底的方向上，所述多层氮氧化硅单元层包括第一氮氧化硅单元层和第二氮氧化硅单元层，其中，所述第一氮氧化硅单元层的厚度在2nm至15nm之间，所述第二氮氧化硅单元层的厚度在5nm至20nm之间。

在一种可能的设计中，在远离所述硅基底的方向上，所述多层氮氧化硅单元层的折射率逐层降低，所述第一氮氧化硅单元层的折射率在1.55至1.85之间，所述第二氮氧化硅单元层的折射率为1.5-1.8。

在一种可能的设计中，所述第一氮氧化硅单元层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占75%-93%，N占6%-13%， O占7%-16%；

所述第二氮氧化硅单元层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占80%-94%，N占5%-11%，O占6%-15%。

在一种可能的设计中，所述氮化硅层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占82%-95%，N占5%-17%；

所述氮化硅层的总体折射率在1.9至2.4之间且总厚度在10nm至60nm之间。

在一种可能的设计中，所述氮化硅层包括层叠设置的多层氮化硅单元层，在远离所述硅基底的方向上，所述多层氮化硅单元层包括第一氮化硅单元层、第二氮化硅单元层、第三氮化硅单元层和第四氮化硅单元层，其中，所述第一氮化硅单元层厚度在8nm至20nm之间，所述第二氮化硅单元层的厚度在10nm至25nm之间，所述第三氮化硅单元层的厚度在12nm至30nm之间，所述第四氮化硅单元层的厚度在15nm至35nm之间。