[发明专利]太阳能电池及其光伏组件

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

硅基底；

位于所述硅基底的前表面且在远离所述硅基底的方向上依次设置的氮化硅层和隔绝层以及穿透所述氮化硅层和所述隔绝层且与所述硅基底形成电连接的第一电极；其中，在所述隔绝层中，其组分元素的重量百分比分别为：Si占75%-94%，N占5%-13%，O占6%-16%；所述隔绝层包括至少一层氮氧化硅层，所述至少一层氮氧化硅层的总厚度在5nm至35nm之间；

位于所述硅基底的后表面且在远离所述硅基底的方向上设置的背钝化叠层以及穿过所述背钝化叠层与所述硅基底形成电连接的第二电极。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述至少一层氮氧化硅层的总体折射率在1.5至1.9之间。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述至少一层氮氧化硅层包括层叠设置的多层氮氧化硅单元层，在远离所述硅基底的方向上，所述多层氮氧化硅单元层包括第一氮氧化硅单元层和第二氮氧化硅单元层，其中，所述第一氮氧化硅单元层的厚度在2nm至15nm之间，所述第二氮氧化硅单元层的厚度在5nm至20nm之间。

4.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，在远离所述硅基底的方向上，所述多层氮氧化硅单元层的折射率逐层降低，所述第一氮氧化硅单元层的折射率在1.55至1.85之间，所述第二氮氧化硅单元层的折射率为1.5-1.8。

5.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一氮氧化硅单元层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占75%-93%，N占6%-13%； O占7%-16%；

所述第二氮氧化硅单元层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占80%-94%，N占5%-11%，O占6%-15%。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述氮化硅层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占82%-95%，N占5%-17%；

所述氮化硅层的总体折射率在1.9至2.4之间且总厚度在10nm至60nm之间。

7.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述氮化硅层包括层叠设置的多层氮化硅单元层，在远离所述硅基底的方向上，所述多层氮化硅单元层包括第一氮化硅单元层、第二氮化硅单元层、第三氮化硅单元层和第四氮化硅单元层，其中，所述第一氮化硅单元层厚度在8nm至20nm之间，所述第二氮化硅单元层的厚度在10nm至25nm之间，所述第三氮化硅单元层的厚度在12nm至30nm之间，所述第四氮化硅单元层的厚度在15nm至35nm之间。

8.如权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，在远离所述硅基底的方向上，所述多层氮化硅单元层的折射率逐层降低，所述第一氮化硅单元层的折射率在2.1至2.4之间，所述第二氮化硅单元层的折射率在2.05至2.25之间，所述第三氮化硅单元层的折射率在2.0至2.2之间，所述第四氮化硅单元层的折射率在1.95至2.15之间。

9.如权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一氮化硅单元层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占85%-95%，N占比5%-15%；

所述第二氮化硅单元层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占84%-94%，N占5.5%-16%；

所述第三氮化硅单元层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占83%-93%，N占比6%-17%；

所述第四氮化硅单元层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占82%-93%，N占6.5%-17%。

10.一种光伏组件，包括至少一个太阳能电池串，其特征在于，所述太阳能电池串由权利要求1-9任一所述的太阳能电池电连接组成。