[发明专利]NTC热敏电阻结构及其制备方法

说明书

本申请公开一种NTC热敏电阻结构及其制备方法。NTC热敏电阻结构包括电极层、调阻层和陶瓷层，所述调阻层位于所述电极层与所述陶瓷层之间，用于调节所述电极层与所述陶瓷层的接触面积。本申请在电极层与陶瓷层之间增加了调阻层，通过设置调阻层的面积可以调节电极层与陶瓷层的接触面积，即电极层与陶瓷层仅在调阻层之外的地方接触，使得电流只能从电极层与陶瓷层接触的地方流进或流出，根据公式R＝ρl/S可知，减小S相当于增加了电阻结构的阻值R，而且增加的阻值的幅度可以通过设置调阻层的面积灵活调节，另外也没有改变原有的电阻结构的尺寸，电阻结构仍然可以满足测试、封装要求。

技术领域

本申请涉及电阻结构技术领域，具体涉及一种NTC(Negative TemperatureCoefficient，负温度系数热敏电阻)热敏电阻结构及其制备方法。

背景技术

NTC热敏材料的电阻率ρ和材料常数B为两个重要的电性参数，但是在材料开发过程中面临着的难题是电阻率ρ的调整(改变材料的活化能)直接影响着热敏材料的材料常数B，材料常数B也会随之上升。为了满足高温应用环境使用(200℃以上)，会对产品的电阻率ρ和材料常数B值提出新的需求，例如电阻率ρ在25摄氏度时为500KΩ，材料常数B为3380K，甚至其它参数。

目前的解决方法为通过开发新的材料体系和通过调整产品的尺寸来调整产品的电阻率ρ。但是，开发新的材料体系难度较大，周期长，即便开发出来由于材料体系匹配不合理，稳定性也较差。而减小产品NTC热敏电阻层的面积或者增加产品NTC热敏电阻层的尺寸均可以提升电阻率ρ，但是调整空间有限，过度调整会使得外观尺寸既不能满足设备测试要求，又达不到封装需求。

因此，在不改变材料体系(保证原有材料体系的稳定性)又不改变产品外观尺寸(满足测试、封装要求)的前提下，研究一种高电阻率ρ和低材料常数B的产品是必要的。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种NTC热敏电阻结构及其制备方法，可以增加电阻结构的阻值，并且增加的幅度可以灵活调节。

本申请提供的一种NTC热敏电阻结构，包括电极层、调阻层和陶瓷层，所述调阻层位于所述电极层与所述陶瓷层之间，用于调节所述电极层与所述陶瓷层的接触面积。

可选地，所述调阻层包括一个调阻单元，所述调阻单元的面积小于所述电极层和所述陶瓷层的面积，所述调阻单元设置有至少一个孔部，所述电极层与所述陶瓷层通过所述孔部接触，所述孔部为接触区域。

可选地，所述调阻层包括间隔设置的多个调阻单元，所述电极层与所述陶瓷层在所述多个调阻单元间隔的地方接触，所述调阻单元之间的间隔区域为接触区域。

可选地，所述电极层和/或所述陶瓷层延伸至所述接触区域。

可选地，所述电极层包括位于所述陶瓷层两侧的第一电极层和第二电极层，所述调阻层位于所述第一电极层与所述陶瓷层之间和/或所述第二电极层与所述陶瓷层之间。

可选地，所述调阻层由绝缘材料制得。

可选地，所述电极层和所述陶瓷层正对设置，且面积相同，所述电极层与所述陶瓷层的接触面积大于所述电极层和所述陶瓷层的面积的2％。

本申请提供的一种NTC热敏电阻结构的制备方法，包括：

制备陶瓷基板，作为陶瓷层；

在所述陶瓷层的至少一外表面制备调阻层；

在所述调阻层的外表面和/或所述陶瓷层的另一外表面制备电极层。

可选地，所述调阻层包括一个调阻单元，所述调阻单元的面积小于所述电极层和所述陶瓷层的面积，所述调阻单元设置有至少一个孔部，所述电极层与所述陶瓷层通过所述孔部接触，所述孔部为接触区域。

可选地，所述调阻层由绝缘材料制得。