[发明专利]NTC热敏电阻结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210315244.3 | 申请日： | 2022-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN114566338A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王洪涛;易新龙;陈先仁 | 申请（专利权）人： | 深圳顺络电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04;H01C17/065;H01C17/30;H01C1/14 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 辛鸿飞 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ntc 热敏电阻 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种NTC热敏电阻结构，其特征在于，包括电极层、调阻层和陶瓷层，所述调阻层位于所述电极层与所述陶瓷层之间，用于调节所述电极层与所述陶瓷层的接触面积。
2.根据权利要求1所述的NTC热敏电阻结构，其特征在于，所述调阻层包括一个调阻单元，所述调阻单元的面积小于所述电极层和所述陶瓷层的面积，所述调阻单元设置有至少一个孔部，所述电极层与所述陶瓷层通过所述孔部接触，所述孔部为接触区域。
3.根据权利要求1所述的NTC热敏电阻结构，其特征在于，所述调阻层包括间隔设置的多个调阻单元，所述电极层与所述陶瓷层在所述多个调阻单元间隔的地方接触，所述调阻单元之间的间隔区域为接触区域。
4.根据权利要求2或3所述的NTC热敏电阻结构，其特征在于，所述电极层和/或所述陶瓷层延伸至所述接触区域。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的NTC热敏电阻结构，其特征在于，所述电极层包括位于所述陶瓷层两侧的第一电极层和第二电极层，所述调阻层位于所述第一电极层与所述陶瓷层之间和/或所述第二电极层与所述陶瓷层之间。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的NTC热敏电阻结构，其特征在于，所述调阻层由绝缘材料制得。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的NTC热敏电阻结构，其特征在于，所述电极层和所述陶瓷层正对设置，且面积相同，所述电极层与所述陶瓷层的接触面积大于所述电极层和所述陶瓷层的面积的2％。
8.一种NTC热敏电阻结构的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1至7中任一项所述的NTC热敏电阻结构，所述方法包括：
制备陶瓷基板，作为陶瓷层；
在所述陶瓷层的至少一外表面制备调阻层；
在所述调阻层的外表面和/或所述陶瓷层的另一外表面制备电极层。
9.根据权利要求8所述的NTC热敏电阻结构的制备方法，其特征在于，所述调阻层包括一个调阻单元，所述调阻单元的面积小于所述电极层和所述陶瓷层的面积，所述调阻单元设置有至少一个孔部，所述电极层与所述陶瓷层通过所述孔部接触，所述孔部为接触区域。
10.根据权利要求8或9所述的NTC热敏电阻结构的制备方法，其特征在于，所述调阻层由绝缘材料制得。
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