[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 202210304823.8 | 申请日: | 2022-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN115117129A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
| 发明(设计)人: | 崔仙暎;赵在炯;沈志训;郑浚琦 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;韩芳 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
提供了一种显示装置,所述显示装置包括:基底;半导体层,设置在基底上;第一栅极绝缘层,设置在半导体层上;栅电极,位于第一栅极绝缘层上;第二栅极绝缘层,设置在栅电极上;第一存储电极,位于第二栅极绝缘层上;第一层间绝缘层,设置在第一存储电极上并且具有围绕半导体层、栅电极和第一存储电极的开口;第二层间绝缘层,设置在第一层间绝缘层上并且填充开口;以及数据线和驱动电压线,位于第二层间绝缘层上。半导体层、栅电极和第一存储电极包括在像素电路区域中。显示装置包括多个像素电路区域。数据线和驱动电压线跨越像素电路区域。半导体层的一部分与填充开口的第二层间绝缘层接触。
本申请要求于2021年3月23日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0037418号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置用于显示图像,并且包括液晶显示装置、或自发射显示装置等。这样的显示装置用于各种电子装置(诸如移动电话、导航单元、数码相机、电子书、便携式游戏机和各种终端)中。
自发射显示装置包括两个电极和位于两个电极之间的发射层,并且从两个电极中的一个注入的电子和从另一电极注入的空穴在发射层中结合以形成激子。激子在从激发态变为基态的同时输出能量并发射光。
自发射显示装置包括多个像素,多个像素包括作为自发射元件的发光二极管,并且多个晶体管和一个或更多个电容器形成在每个像素中以驱动发光二极管。
发明内容
显示装置包括基底、半导体层、第一栅极绝缘层、栅电极、第二栅极绝缘层、第一存储电极、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层、数据线以及驱动电压线。半导体层设置在基底上。第一栅极绝缘层设置在半导体层上。栅电极位于第一栅极绝缘层上。第二栅极绝缘层设置在栅电极上。第一存储电极位于第二栅极绝缘层上。第一层间绝缘层设置在第一存储电极上并且具有围绕半导体层、栅电极和第一存储电极的开口。第二层间绝缘层设置在第一层间绝缘层上并且填充开口。数据线和驱动电压线位于第二层间绝缘层上。半导体层、栅电极和第一存储电极包括在像素电路区域中。显示装置包括多个像素电路区域。数据线和驱动电压线跨越像素电路区域。半导体层的一部分与填充开口的第二层间绝缘层接触。
开口可以形成为围绕像素电路区域中的每个的边缘,而像素电路区域可以由开口划分。
开口的剖面宽度可以朝向基底减小。
显示装置还可以包括位于基底与半导体层之间的缓冲层,并且开口可以延伸穿过第一层间绝缘层、第二栅极绝缘层、第一栅极绝缘层和缓冲层。
显示装置还可以包括位于基底与缓冲层之间的阻挡层,并且开口可以延伸到阻挡层。
开口可以延伸穿过阻挡层。
半导体层可以在相邻的像素电路区域中通过开口彼此间隔开。
第二层间绝缘层可以填充开口,并且可以与栅电极和第一存储电极间隔开。
显示装置还可以包括:多个晶体管,位于基底上;以及第一下扫描线、第二下扫描线和下发射控制线,连接到所述多个晶体管中的至少一个,并且第一下扫描线、第二下扫描线和下发射控制线可以位于一个像素电路区域内。
位于不同的像素电路区域中的第一下扫描线可以定位为彼此间隔开,位于不同的像素电路区域中的第二下扫描线可以定位为彼此间隔开,并且位于不同的像素电路区域中的下发射控制线可以定位为彼此间隔开。
显示装置还可以包括位于第二层间绝缘层上的第一上扫描线、第二上扫描线和上发射控制线,第一上扫描线可以连接到位于不同的像素电路区域内的第一下扫描线,第二上扫描线可以连接到位于不同的像素电路区域内的第二下扫描线,并且上发射控制线可以连接到位于不同的像素电路区域中的下发射控制线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





