[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 202210304823.8 | 申请日: | 2022-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN115117129A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
| 发明(设计)人: | 崔仙暎;赵在炯;沈志训;郑浚琦 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;韩芳 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底;
半导体层,设置在所述基底上;
第一栅极绝缘层,设置在所述半导体层上;
栅电极,位于所述第一栅极绝缘层上;
第二栅极绝缘层,设置在所述栅电极上;
第一存储电极,位于所述第二栅极绝缘层上;
第一层间绝缘层,设置在所述第一存储电极上并且具有围绕所述半导体层、所述栅电极和所述第一存储电极的开口;
第二层间绝缘层,设置在所述第一层间绝缘层上并且填充所述开口;以及
数据线和驱动电压线,位于所述第二层间绝缘层上,
其中,所述半导体层、所述栅电极和所述第一存储电极包括在像素电路区域中,
所述显示装置包括多个像素电路区域,
所述数据线和所述驱动电压线跨越所述像素电路区域,并且
所述半导体层的一部分与填充所述开口的所述第二层间绝缘层接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述开口围绕所述多个像素电路区域中的每个的边缘,
所述多个像素电路区域由所述开口限定,并且
在平面图中,所述半导体层延伸到所述开口。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述开口的剖面宽度朝向所述基底减小。
4.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
缓冲层,位于所述基底与所述半导体层之间,
其中,所述开口延伸穿过所述第一层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层和所述缓冲层。
5.根据权利要求4所述的显示装置,所述显示装置还包括:
阻挡层,位于所述基底与所述缓冲层之间,
其中,所述开口延伸到所述阻挡层。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,
所述开口延伸穿过所述阻挡层。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述半导体层在相邻的像素电路区域中通过所述开口彼此间隔开。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第二层间绝缘层与所述栅电极和所述第一存储电极间隔开。
9.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
多个晶体管,位于所述基底上;以及
第一下扫描线、第二下扫描线和下发射控制线,连接到所述多个晶体管中的至少一个,
其中,所述第一下扫描线、所述第二下扫描线和所述下发射控制线位于一个像素电路区域内。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,
位于不同的像素电路区域中的第一下扫描线定位为彼此间隔开,
位于不同的像素电路区域中的第二下扫描线定位为彼此间隔开,并且
位于不同的像素电路区域中的下发射控制线定位为彼此间隔开。
11.根据权利要求10所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第一上扫描线、第二上扫描线和上发射控制线,位于所述第二层间绝缘层上,
其中,所述第一上扫描线连接到位于所述不同的像素电路区域内的所述第一下扫描线,
所述第二上扫描线连接到位于所述不同的像素电路区域内的所述第二下扫描线,并且
所述上发射控制线连接到位于所述不同的像素电路区域中的所述下发射控制线。
12.根据权利要求11所述的显示装置,所述显示装置还包括:
阳极,被构造为连接到所述多个晶体管中的至少一个;
发光二极管层,设置在所述阳极上;以及
阴极,位于所述发光二极管层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





