[发明专利]固态硬盘闪存阵列的擦除方法、固态硬盘主控芯片有效

专利信息
申请号: 202210292562.2 申请日: 2022-03-24
公开(公告)号: CN114385092B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 谢元禄;张君宇;呼红阳;刘璟;霍长兴;张坤;季兰龙;习凯 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/02
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 马苗苗
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 固态 硬盘 闪存 阵列 擦除 方法 主控 芯片
【权利要求书】:

1.一种固态硬盘闪存阵列的擦除方法,其特征在于,包括:

在每次对所述闪存阵列中的Block进行擦除后,获取每次擦除对应的擦除参数,所述擦除参数包括擦除电流、擦除时间、所述Block已经经历过的总cycle次数中的任意一种、两种或三种;

根据上一次擦除对应的所述擦除参数确定本次擦除所述Block的擦除电压,所述擦除电压大于预设电压阈值;

基于所述擦除电压对所述Block进行本次擦除;

其中,所述根据上一次擦除对应的所述擦除参数确定本次擦除所述Block的擦除电压,包括:获取所述擦除参数对应的所述闪存阵列的参数标定最大值;根据上一次擦除对应的所述擦除参数、所述擦除参数对应的所述参数标定最大值,确定本次擦除所述Block的所述擦除电压;

其中,所述擦除参数包括第一擦除参数和第二擦除参数;所述根据上一次擦除对应的所述擦除参数、所述擦除参数对应的所述参数标定最大值,确定本次擦除所述Block的所述擦除电压,包括:若第一擦除参数低于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半,且第二擦除参数低于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半,则将所述擦除电压确定为第一电压;若满足以下条件之一:第一擦除参数低于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半,且第二擦除参数高于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半;第一擦除参数高于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半,且第二擦除参数低于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半,则将所述擦除电压确定为第二电压;若第一擦除参数高于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半,且第二擦除参数高于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半,则将所述擦除电压确定为第三电压;所述第一电压、所述第二电压、所述第三电压依次减小。

2.一种固态硬盘主控芯片,其特征在于,包括:

擦除参数获取模块,用于在每次对闪存阵列中的Block进行擦除后,获取每次擦除对应的擦除参数,所述擦除参数包括擦除电流、擦除时间、所述Block已经经历过的总cycle次数中的任意一种、两种或三种;

擦除电压确定模块,用于根据上一次擦除对应的所述擦除参数确定本次擦除所述Block的擦除电压,所述擦除电压大于预设电压阈值;

Block擦除模块,用于基于所述擦除电压对所述Block进行本次擦除;

其中,所述擦除电压确定模块,还用于:获取所述擦除参数对应的所述闪存阵列的参数标定最大值;根据上一次擦除对应的所述擦除参数、所述擦除参数对应的所述参数标定最大值,确定本次擦除所述Block的所述擦除电压;

其中,所述擦除参数包括第一擦除参数和第二擦除参数;所述擦除电压确定模块,还用于:若第一擦除参数低于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半,且第二擦除参数低于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半,则将所述擦除电压确定为第一电压;若满足以下条件之一:第一擦除参数低于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半,且第二擦除参数高于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半;第一擦除参数高于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半,且第二擦除参数低于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半,则将所述擦除电压确定为第二电压;若第一擦除参数高于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半,且第二擦除参数高于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半,则将所述擦除电压确定为第三电压;所述第一电压、所述第二电压、所述第三电压依次减小。

3.一种电子设备,其特征在于,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述程序时实现权利要求1所述的固态硬盘闪存阵列的擦除方法。

4.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1所述的固态硬盘闪存阵列的擦除方法。

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