[发明专利]一种MEMS器件的应力缓冲封装结构在审
| 申请号： | 202210290798.2 | 申请日： | 2022-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN114655916A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 周铭;黄艳辉;凤瑞;鞠莉娜 | 申请（专利权）人： | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;章荣 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 应力 缓冲 封装 结构 | ||
1.一种MEMS器件的应力缓冲封装结构，包括封装管壳和MEMS芯片，其特征在于：所述封装管壳内固定设置有用于承载所述MEMS芯片的应力缓冲垫板，所述应力缓冲垫板与MEMS芯片之间设置有粘片胶；所述应力缓冲垫板包括基片，所述基片上与所述MEMS芯片相对的端面设置有至少两个高度不相同的凸出部。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件的应力缓冲封装结构，其特征在于：所述凸出部包括凸台和凸点，且所述凸点的高度大于所述凸台的高度。
3.根据权利要求2所述的MEMS器件的应力缓冲封装结构，其特征在于：所述基片上设置有多个凸点圈，所述凸点圈由一个或者多个分布于圆形区域内的所述凸点组成。
4.根据权利要求3所述的MEMS器件的应力缓冲封装结构，其特征在于：所述基片上设置有四个所述凸点圈，且四个所述凸点圈分别设置于所述基片的四个顶角处；所述凸台设置于所述基片的中心。
5.根据权利要求3所述的MEMS器件的应力缓冲封装结构，其特征在于：所述基片上设置有三个所述凸点圈，所述凸台与三个所述凸点圈分别设置于所述基片的四个顶角处。
6.根据权利要求3所述的MEMS器件的应力缓冲封装结构，其特征在于：所述粘片胶同时覆盖所述基片、凸台和凸点圈来形成整面粘接，或者所述粘片胶覆盖多个所述凸点圈来形成多点粘接，或者所述粘片胶覆盖所述凸台以及多个所述凸点圈来形成多点粘接，或者所述粘片胶覆盖所述凸台来形成单点粘接。
7.根据权利要求3所述的MEMS器件的应力缓冲封装结构，其特征在于：所述MEMS芯片与凸点抵接。
8.根据权利要求2所述的MEMS器件的应力缓冲封装结构，其特征在于：所述基片的厚度为100μm～1000μm，所述凸台与基片的高度差为30μm～200μm，所述凸点与凸台的高度差为5μm～30μm。
9.根据权利要求4所述的MEMS器件的应力缓冲封装结构，其特征在于：所述凸点的直径为10μm～50μm，形成所述凸点圈的圆形区域的直径为300μm～900μm。
10.根据权利要求1所述的MEMS器件的应力缓冲封装结构，其特征在于：所述应力缓冲垫板的材料是硅，采用深反应离子蚀刻工艺多次蚀刻后一体成型。
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