[发明专利]一种紫外光可降解的瞬态电子器件及其制备方法

权利要求书

1.一种紫外光可降解的瞬态电子器件，其特征在于，以聚合物cPPA瞬态薄膜作为中间层，再在聚合物cPPA瞬态薄膜上设置金属构件，得到紫外光可降解的瞬态电子器件。

2.根据权利要求1所述紫外光可降解的瞬态电子器件，其特征在于，当所述瞬态电子器件为瞬态电阻器时，所述瞬态电阻器的结构为以聚合物cPPA瞬态薄膜为衬底，在衬底表面沉积Mg金属材料。

3.根据权利要求1所述紫外光可降解的瞬态电子器件，其特征在于，当所述瞬态电子器件为瞬态二极管时，所述瞬态二极管的结构为以ITO玻璃片作为基底及底电极，在基底的电阻面贴有聚合物cPPA瞬态薄膜，在聚合物cPPA瞬态薄膜表面沉积有ZnO层，在ZnO层表面设有Cu作为顶电极。

4.根据权利要求1所述紫外光可降解的瞬态电子器件，其特征在于，当所述瞬态电子器件为瞬态电容时，所述电容的结构为以ITO玻璃作为基底和底电极，聚合物CPPA瞬态薄膜贴合在基底表面，在聚合物cPPA瞬态薄膜表面设有Yi₂O₃介质层，在介质层的表面设有Cu顶电极。

5.一种紫外光可降解的瞬态电子器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将掩膜板贴合在聚邻苯二甲醛薄膜的表面，再将Mg金属沉积到聚邻苯二甲醛薄膜的表面，取下掩膜板后得到如权利要求2所述瞬态电阻器件。

6.一种紫外光可降解的瞬态电子器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：选用ITO玻璃片作为基底及底电极，对ITO玻璃片进行清洗后用氮气干燥，将聚邻苯二甲醛薄膜贴合于ITO玻璃片上设有电阻的一侧表面，按压一段时间后，将掩膜板贴合在聚邻苯二甲醛薄膜表面，将ZnO靶材沉积在聚邻苯二甲醛薄膜表面，再将点阵状掩膜板贴合于ZnO层，将Cu靶材溅射到ZnO层，形成点阵状的顶电极，得到如权利要求3所述瞬态二极管。

7.一种紫外光可降解的瞬态电子器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：采用ITO玻璃作为电容的基底和底电极，将聚邻苯二甲醛薄膜贴合在ITO玻璃表面，将Yi₂O₃溅射到聚邻苯二甲醛薄膜的表面，再在Yi₂O₃层上溅射Cu顶电极得到如权利要求4所述瞬态电容。