[发明专利]半导体器件及制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

在栅极沟槽中形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极电极和上覆于所述栅极电极的第一栅极掩模；

在所述栅极结构之上，在所述栅极沟槽中，形成第一衬里层；

在所述栅极沟槽中，并且所述第一衬里层之上形成第二栅极掩模材料；

蚀刻所述第二栅极掩模材料，使得所述第二栅极掩模材料的顶表面低于所述第一衬里层的顶表面；

形成上覆于所述第一衬里层和所述第二栅极掩模材料的第二衬里层；以及

对所述第一衬里层和所述第二衬里层执行结晶化工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二栅极掩模材料还包括：

在所述第二栅极掩模材料的第二部分之上沉积所述第二栅极掩模材料的第一部分，其中，在沉积所述第一部分之后，所述第一部分在第一位置具有空隙，并且所述第二栅极掩模材料的第二部分没有空隙；

将所述第二栅极掩模材料的第一部分去除至所述第一位置下方的点，其中，在去除所述第一部分之后，所述第二栅极掩模材料没有空隙；以及

在去除所述第一部分之后，沉积所述第二栅极掩模材料的第三部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二栅极掩模材料还包括：

沉积所述第二栅极掩模材料的第一部分，其中，在沉积所述第一部分之后，所述第一部分具有空隙；以及

扩展所述第一部分以闭合所述空隙。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二栅极掩模材料是至少部分地利用可流动沉积工艺或旋涂工艺来执行的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二栅极掩模材料还包括：

沉积所述第二栅极掩模材料的第一部分，沉积所述第一部分形成共形层；

修整所述第一部分；以及

在修整所述第一部分之后，沉积所述第二栅极掩模材料的第二部分。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，修整所述第一部分将所述第一部分修整为V形。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，修整所述第一部分是至少部分地利用等离子体处理来执行的。

8.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

在半导体鳍之上形成第一栅极电极；

在电介质层的第一开口内在所述第一栅极电极之上形成第一帽盖层；

在所述第一开口内在所述第一帽盖层之上形成第一衬里；

在所述第一开口内在所述第一衬里之上形成无空隙的第二栅极掩模材料；以及

在所述第一开口内在所述无空隙的第二栅极掩模材料之上形成第二衬里。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述无空隙的第二栅极掩模材料是至少部分地利用可流动工艺来执行的。

10.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

在半导体鳍之上形成栅极电极；

在所述栅极电极之上形成第一帽盖层；以及

在所述第一帽盖层之上形成第二帽盖层，所述第二帽盖层包括：

第一衬里；

第二帽盖层材料，所述第二帽盖层材料没有空隙；以及

第二衬里，位于所述第二帽盖层材料之上，所述第二衬里与电介质层共面。