[发明专利]一种超疏水碳化硅陶瓷膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202210277373.8 申请日: 2022-03-18
公开(公告)号: CN114685188B 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: 魏逸彬;魏晶晶;年佩;徐楠 申请(专利权)人: 宁夏大学
主分类号: C04B41/89 分类号: C04B41/89;C04B41/91;B01D71/02;B01D69/02;B01D67/00
代理公司: 银川瑞海陈知识产权代理事务所(普通合伙) 64104 代理人: 陈晓庆
地址: 750000 宁夏回*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要:
搜索关键词: 一种 疏水 碳化硅 陶瓷膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种超疏水碳化硅陶瓷膜,其特征在于,包括对称结构的多孔碳化硅陶瓷膜以及表面的ZnO纳米修饰结构,形成的ZnO修饰的碳化硅膜表面还覆有硅烷分子层;所述的对称结构的多孔碳化硅陶瓷膜是平均孔径为100-1000nm的片式膜,所述的ZnO纳米修饰结构是ZnO纳米球或ZnO纳米花;所述的超疏水为膜表面水滴接触角是150-180°,水滴滚动角小于10°。

2.根据权利要求1所述的超疏水碳化硅陶瓷膜制备方法其特征在于:包括以下步骤:

(1)将多孔碳化硅陶瓷膜片置于100℃沸水中进行清洗,然后放置在60-100℃的烘箱干燥4-12h备用;

(2)将经过步骤(1)清洗后的碳化硅膜片置于20-100mM高锰酸钾溶液中表面活化1-5h,超声清洗;

(3)将步骤(2)处理后的膜片放入装有ZnO化学沉积液的聚四氟乙烯烧杯中,使用96℃油浴进行加热,反应0.5-3h,取出反应后的膜片,使用去离子水冲洗膜片表面并放置在60-100℃的烘箱干燥4-12h备用;

(4)将步骤(3)得到的碳化硅膜片浸入硅烷改性液进行表面接枝,反应温度为40℃,反应时间为12h,反应结束后取出,使用1:1的酒精与水混合溶液冲洗膜表面后,在85℃的烘箱内干燥4-12h,得到超疏水碳化硅陶瓷膜。

3.根据权利要求2所述的超疏水碳化硅陶瓷膜制备方法,其特征在于,步骤(2)中的高锰酸钾溶液中需加入体积分数为0.25%的叔丁醇。

4.根据权利要求2所述的超疏水碳化硅陶瓷膜制备方法,其特征在于,步骤(3)中的ZnO化学沉积液为含Zn2+前驱体、体积分数为5-10%的乙醇胺、体积分数为1-5%的氨水的混合溶液,含Zn2+前驱体包括硫酸锌、醋酸锌、硝酸锌、氯化锌,浓度为10-100mM。

5.根据权利要求2所述的超疏水碳化硅陶瓷膜制备方法,其特征在于,步骤(4)中硅烷改性液是浓度为0.2mol/L的正辛基三乙氧基硅烷与无水乙醇的混合溶液。

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