[发明专利]一种钽涂层的表面活化方法

权利要求书

1.一种钽涂层的表面活化方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用氩气等离子对钽涂层进行等离子体活化处理后浸泡在水中。

2.根据权利要求1所述的表面活化方法，其特征在于，所述等离子体活化处理的电压为400V，电流为7mA，离子轰击速率为6.4nm/min。

3.根据权利要求1或2所述的表面活化方法，其特征在于，所述等离子体活化处理的压强为5×10^-4Pa。

4.根据权利要求1所述的表面活化方法，其特征在于，所述等离子体活化处理的单次活化面积为3mm×3mm，单次活化时间为1～5min。

5.根据权利要求1所述的表面活化方法，其特征在于，所述水的温度为95～100℃。

6.根据权利要求1或5所述的表面活化方法，其特征在于，所述浸泡的时间为30min。

7.根据权利要求1所述的表面活化方法，其特征在于，所述钽涂层由化学气相沉积制得。

8.根据权利要求1所述的表面活化方法，其特征在于，所述钽涂层进行等离子体活化处理前还包括依次进行丙酮超声清洗、无水乙醇超声清洗和烘干处理。

9.根据权利要求1所述的表面活化方法，其特征在于，所述钽涂层的厚度为0.05～0.2mm。

10.根据权利要求1所述的表面活化方法，其特征在于，所述浸泡在水中后还包括依次进行水洗和干燥。