[发明专利]一种阵列基板及显示面板在审
申请号: | 202210259471.9 | 申请日: | 2022-03-16 |
公开(公告)号: | CN114695386A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 余文强;王超 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄锐 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
多条数据线;
有源层,与所述数据线异层设置,所述有源层包括依次连接的第一连接段、第二连接段和第三连接段,所述第一连接段与所述数据线在垂直于所述阵列基板的方向上重叠设置,所述第三连接段位于相邻两条所述数据线之间,所述第二连接段连接所述第一连接段与所述第三连接段,所述第二连接段与所述数据线在垂直于所述阵列基板的方向上部分重叠;
栅极,与所述数据线和所述有源层异层设置,且所述栅极与所述有源层在垂直于所述阵列基板的方向上重叠设置;
源极,与所述数据线相连,且所述源极与所述第一连接段接触;以及
漏极,与所述数据线和所述源极间隔设置,所述漏极与所述有源层裸露于相邻两条所述数据线之间的部分在垂直于所述阵列基板的方向上重叠,所述漏极与所述有源层裸露于相邻两条数据线之间的部分接触。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二连接段呈直线型,所述第二连接段的延伸方向与所述数据线的延伸方向相交。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二连接段的延伸方向和所述数据线的延伸方向的夹角为7°-22°。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二连接段包括依次连接的多条子连接段。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述子连接段呈直线型,所述子连接段的延伸方向与所述数据线的延伸方向相交。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述子连接段的延伸方向与所述数据线的延伸方向之间具有倾斜夹角,多条所述子连接段的倾斜夹角由所述第一连接段朝所述第三连接段的方向呈渐增设置。
7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二连接段呈弧型。
8.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述源极和所述数据线同层设置,所述漏极和所述数据线异层设置。
9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括基板、栅极绝缘层、第一层间绝缘层和第二层间绝缘层,所述有源层设于所述基板上,所述栅极绝缘层覆盖于所述有源层上,所述栅极设于所述栅极绝缘层上,所述第一层间绝缘层覆盖于所述栅极上,所述源极设于所述第一层间绝缘层上,所述第二层间绝缘层覆盖于所述源极上,所述漏极设于所述第二层间绝缘层上;或者,
所述阵列基板还包括基板、栅极绝缘层、第一层间绝缘层和第二层间绝缘层,所述有源层设于所述基板上,所述栅极绝缘层覆盖于所述有源层上,所述栅极设于所述栅极绝缘层上,所述第一层间绝缘层覆盖于所述栅极上,所述漏极设于所述第一层间绝缘层上,所述第二层间绝缘层覆盖于所述漏极上,所述源极设于所述第二层间绝缘层上。
10.如权利要求1-9任一项所述的阵列基板,其特征在于,相邻两条所述数据线之间的距离小于7微米。
11.一种显示面板,其特征在于,包括液晶层、对侧基板以及如权利要求1-10任一项所述的阵列基板,所述阵列基板和所述对侧基板相对设置,所述液晶层设于所述阵列基板和所述对侧基板之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的