[发明专利]一种CdSn合金靶材及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202210256265.2 申请日: 2022-03-15
公开(公告)号: CN114657423B 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 余飞;江佩庭;黄宇彬;童培云;朱刘 申请(专利权)人: 先导薄膜材料(广东)有限公司
主分类号: C22C20/00 分类号: C22C20/00;C22C1/02;C23C14/34;C23C14/08
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 陈静
地址: 511517 广东省清*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 cdsn 合金 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种CdSn合金靶材的制备方法,其特征在于,所述CdSn合金靶材包括如下重量份数的组分:Cd 60-70份和Sn30-40份,其中,Cd和Sn的纯度≥4N;

所述CdSn合金靶材的制备方法包括如下步骤:

(1)将Cd锭与Sn锭按比例混合后熔融得到熔融合金物料;

(2)将所述熔融合金物料浇注至经预热处理后的模具腔体中;

(3)浇注结束后进行保温处理;

(4)对所述模具腔体进行冷却至熔融合金物料完全凝固,脱模得到所述CdSn合金靶材;

所述步骤(1)中的熔融温度与所述步骤(2)中的浇注温度相同,为280-380℃;

所述步骤(2)中的模具腔体的制备方法包括如下步骤:将待浇注的空白靶材作为模具组件的内衬背管,在所述空白靶材的表面涂布In、Sn混合料,将所述内衬背管与安装在所述内衬背管上下端的背管延长件链接,并将所述背管延长件与背管外模通过底座链接,得到所述模具腔体,其中,所述In、Sn混合料中In、Sn的质量比为1:1;

所述步骤(3)中的保温处理温度为230-330℃,保温处理的时间为10-30min;

所述步骤(4)中的冷却速率为40-60℃/min。

2.如权利要求1所述的CdSn合金靶材的制备方法,其特征在于,所述CdSn合金靶材包括如下重量份数的组分:Cd 65.44份和Sn34.56份。

3.如权利要求1所述的CdSn合金靶材的制备方法,其特征在于,所述熔融温度为320-340℃。

4.如权利要求1所述的CdSn合金靶材的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中的冷却速率为55 ℃ /min。

5.如权利要求1所述的CdSn合金靶材的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中的模具腔体的预热温度为160-190 ℃ 。

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