[发明专利]一种硅刻蚀方法在审
| 申请号： | 202210254286.0 | 申请日： | 2022-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN114664648A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陈长鸿;孙一军;孙颖;王妹芳;孙家宝;刘艳华;刘志;谢石建 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
1.一种硅刻蚀方法，其特征在于方法包括：
S1、钝化步骤：在刻蚀机中，利用RF电源生成钝化气等离子体在以二氧化硅作掩膜的硅片表面附着钝化层；
S2、刻蚀步骤：在刻蚀机中，调节RF电源生成刻蚀气等离子体对以二氧化硅作掩膜的硅片沿垂直方向进行刻蚀；
S3、清洗步骤：在刻蚀机中，通入清洁气体，清除以二氧化硅作掩膜的硅片表面的残余生成物；
S4、循环S1-S3步骤，直至达到刻蚀深度，则刻蚀结束。
2.根据权利要求1所述的一种环保型深硅刻蚀方法，其特征在于：
在步骤S1前，还使用含ICP-RF双电源的刻蚀机对以二氧化硅作掩膜的硅片进行预刻蚀，形成在硅片表面的凸起和凹槽。
3.根据权利要求1所述的一种环保型深硅刻蚀方法，其特征在于：
在预刻蚀之后且在正式刻蚀前，使用C4F6+O2混合气体清除硅片表面的原生氧化层。
4.根据权利要求3所述的一种环保型深硅刻蚀方法，其特征在于：
调节腔室压力40-60mtorr，通入50sccm C4F6，通入10sccm O2，10-50s后，启动ICP电源1300w，RF电源100w，10s后进入S1的钝化步骤。
5.根据权利要求1所述的一种环保型深硅刻蚀方法，其特征在于：
所述的钝化气和刻蚀气均是C4F6和SF6，所述的清洁气体为O2。
6.根据权利要求1所述的一种环保型深硅刻蚀方法，其特征在于：
所述S1的钝化步骤中，通入100sccm的C4F6和5sccm的SF6，调节钝化环境压力为40-80mtorr，ICP电源900-1100W，RF电源10-35W，维持硅片温度5-40℃，钝化时间3s。
7.根据权利要求1所述的一种环保型深硅刻蚀方法，其特征在于：
所述S2的刻蚀步骤中，再通入5sccm的C4F6和100sccm的SF6，调节刻蚀环境压力40-80mtorr，ICP电源1000-1500W，RF电源50-100W，维持硅片温度5-40℃，刻蚀时间5s。
8.根据权利要求1所述的一种环保型深硅刻蚀方法，其特征在于：
所述S3的清洗步骤中，通入50sccm的O2，调节刻蚀环境压力40mtorr，ICP电源1000W，RF电源25W，维持硅片温度5-40℃，刻蚀时间3s。
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