[发明专利]一种用于TAIKO晶圆加工的去环工作台

说明书

本发明公开了一种用于TAIKO晶圆加工的去环工作台，包括工作台面、模组、支撑架、固定槽与气缸，所述工作台面的底端与支撑架固定连接，所述支撑架的底端固定连接有底座。本发明通过设置限位板、第二固定板与推块，除通过上一个机械手将含有晶圆的框架搬运至吸附定位盘上，模组与滑块带动外框向上移动，通过上一个机械手使晶圆与吸附定位盘同心后，再通过真空发生器通到吸附定位盘与外框中，吸住晶圆与膜，然后通过气缸带动连接座，第二固定板，使得第二固定板抱住框架，然后通过模组与滑块带动外框向下移动，使得外框与吸附定位盘具有一定的距离，方便下一步机械手对晶圆废料进行取走，将有效提升去环效率与精度，提升晶圆分离的质量。

技术领域

本发明涉及晶圆加工技术领域，具体涉及一种用于TAIKO晶圆加工的去环工作台。

背景技术

晶圆工艺是一种生产工艺，晶圆工艺是从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序(其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序)，晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。

现有的用于TAIKO晶圆加工的去环工作台，往往在使用时，需要进行人工辅助进行分离，但这种分离方法效率低，且易造成晶圆的损坏。

因此，发明一种用于TAIKO晶圆加工的去环工作台来解决上述问题很有必要。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于TAIKO晶圆加工的去环工作台，以解决技术中用于TAIKO晶圆加工的去环工作台，往往在使用时，需要进行人工辅助进行分离，但这种分离方法效率低，且易造成晶圆的损坏的问题。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：与气缸，所述工作台面的底端与模组的输出端固定连接，所述支撑架的底端固定连接有底座，所述支撑架的一侧通过螺栓固定连接有第一固定板，所述第一固定板的一侧通过螺栓与模组固定连接，所述工作台面的另一侧通过螺栓固定连接有第三固定板，所述第三固定板通过螺栓固定连接有滑块，所述工作台面的底端固定连接有第三连接板，所述第三连接板的顶端固定连接有第二固定板，所述第二固定板的顶端固定连接有第一连接板，所述第一连接板的顶端固定连接有吸附定位盘，所述工作台面的顶端设有吸附定位盘，所述工作台面的顶端设有外框，所述外框的内部设有固定槽，所述固定槽内部放置有晶圆，所述晶圆的外壁通过膜连接有框架，所述工作台面的顶端设有安装槽，所述工作台面的顶端设有滑动槽，所述安装槽的内部固定连接有连接座，所述连接座与气缸通过螺栓固定连接，所述气缸的输出端固定连接有限位板，所述限位板的一侧固定连接有第二固定板，所述连接座与第二固定板呈九十度夹角，所述滑动槽的内部固定连接有安装座，所述安装座的顶端固定连接有外框固定件，所述外框固定件的顶端固定连接有推块，所述外框固定件与滑块的输出端固定连接，所述模组的一侧固定连接有固定件，所述滑块的顶端固定连接有外框。

优选的，所述模组通过电机带动工作台面上下移动，所述吸附定位盘分别与第一连接板、第二连接板、第三连接板相互连接，所述吸附定位盘对晶圆进行吸附定位。

优选的，所述模组与第四固定板通过电性连接，所述吸附定位盘与滑块的输出端相互连接，所述气缸与模组通过电性连接，所述滑块与模组通过电性连接，方便对滑块的控制。

优选的，所述支撑架的内部固定连接有第四固定板，所述工作台面的内部设有第二连接板，所述第二连接板的内壁与第一连接板的外壁相匹配，方便第一连接板与第二连接板内的固定。

优选的，所述支撑架的外侧设置有多个安装孔，所述底座的两侧均设有多个固定孔孔，方便对底座的安装固定。

优选的，所述安装槽的数量设置为四个，所述安装槽呈环形等距分布在固定槽的外侧，方便对晶圆的定位与固定。