[发明专利]闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法

说明书

本发明公开了一种闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法，其中所述闪存模块包括至少一闪存芯片，每一闪存芯片包括多个区块，每一区块包括多个页面，以及所述方法包括以下步骤：发送一读取指令至所述闪存模块以请求至少一记忆单元上的数据；自所述闪存模块接收所述至少一记忆单元的多个记忆细胞的多位信息；以及分析所述多个记忆细胞的所述多位信息以取得所述多个记忆细胞的一临界电压分布以供决定一解码程序。总的来说，本发明的闪存模块能因应读取指令将每一记忆细胞的多位信息输出至所述闪存控制器，且每一记忆细胞的多位信息可指出所述记忆细胞的临界电压或状态。因此，读取效率能被大幅地改善。

本申请是申请日为2019年07月17日、申请号为201910647337.4、发明创造名称为“闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法”的中国发明申请的分案申请。

技术领域

本发明是关于闪存的存取控制，尤指一种用来进行闪存模块的存取管理的方法、相关的闪存控制器以及电子装置。

背景技术

近年来由于存储器的技术不断地发展，各种可携式或非可携式记忆装置(例如：分别符合SD/MMC、CF、MS、XD及UFS标准的记忆卡；又例如：固态硬盘(solid state drive,SSD)；又例如：分别符合UFS及EMMC规格的嵌入式(embedded)记忆装置)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些记忆装置中的存储器的存取控制遂成为相当热门的议题。

以常用的NAND型闪存而言，其主要可包括单阶细胞(single level cell,SLC)与多阶细胞(multiple level cell,MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞(memory cell)的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞的晶体管的存储能力则被充分利用，是采用较高的电压来驱动，以通过不同级别的电压在一个晶体管中记录至少两位的信息(诸如00、01、11、10)。理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的至少两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。

相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保在记忆装置中对闪存的存取控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。

依据现有技术，具备上列管理机制的记忆装置仍有不足的处。例如，当三阶细胞(triple level cell,TLC)被应用于记忆装置时，会有位错误率增加等问题。虽然针对来自三阶细胞闪存的读取数据的传统感测方案已被提出来尝试解决这些问题，但在具有四阶细胞(Quadruple level cell,QLC)闪存的记忆装置上并不管用。尤其，传统感测方案对于在四阶细胞闪存中的每记忆细胞的高阶存储电位(high-level per memory cell)并不好。因此，需要一种新颖的方法以及相关架构，以在没有副作用或较不会带来副作用的强况下加强整体效能。

发明内容

本发明的一目的在于公开一种用来进行一记忆装置的存取管理的方法，即使在一高密度存储排列下依然能有效率地取得足够的信息供解码运作的用以解决上述问题。