[发明专利]热式流量传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种热式流量传感器，其特征在于，包括：

上游热敏元件和下游热敏元件，分立形成在基底的表面；

加热电阻，形成在所述基底的表面并位于所述上游热敏元件和所述下游热敏元件之间，用于通电加热所述上游热敏元件和所述下游热敏元件；

通孔，沿垂直于基底的表面的方向，形成在所述加热电阻中，以使所述加热电阻形成第一电阻和第二电阻，所述第一电阻位于所述加热电阻面向所述上游热敏元件的一端，所述第二电阻位于所述加热电阻面向所述下游热敏元件的一端，所述第一电阻和所述第二电阻对称且并联。

2.根据权利要求1所述的热式流量传感器，其特征在于，所述第一电阻与所述上游热敏元件之间及所述第二电阻与所述下游热敏元件之间均设有导热层。

3.根据权利要求2所述的热式流量传感器，其特征在于，所述导热层的材料为氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化镁或氮化硼。

4.根据权利要求1所述的热式流量传感器，其特征在于，所述基底的背面设有腔体，所述加热电阻位于所述基底的对应所述腔体的位置。

5.根据权利要求4所述的热式流量传感器，其特征在于，所述基底包括衬底，所述衬底的表面设有支撑层，所述上游热敏元件、所述下游热敏元件和所述加热电阻位于所述支撑层的表面，所述衬底的背面设有所述腔体并暴露所述支撑层。

6.根据权利要求1所述的热式流量传感器，其特征在于，所述基底的表面还设有环境电阻，用于通电发热形成高温，以去除热式流量传感器表面的水汽和气体残留。

7.根据权利要求6所述的热式流量传感器，其特征在于，所述环境电阻包括上游蛇形电阻和下游蛇形电阻，所述上游蛇形电阻位于所述上游热敏元件的上游，所述下游蛇形电阻位于所述下游热敏元件的下游。

8.一种热式流量传感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底的表面上形成加热电阻以及位于所述加热电阻相对两侧的上游热敏元件和下游热敏元件；

沿垂直于基底的表面的方向，在所述加热电阻中形成有通孔，以使所述加热电阻形成第一电阻和第二电阻，所述第一电阻位于所述加热电阻面向所述上游热敏元件的一端，所述第二电阻位于所述加热电阻面向所述下游热敏元件的一端，所述第一电阻和所述第二电阻对称且并联。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述提供基底，包括：

提供衬底；

在所述衬底的表面形成氧化硅层；

在所述氧化硅层表面形成氮化硅层；

刻蚀所述衬底的背面对应所述加热电阻的位置以形成腔体。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述基底的表面上形成加热电阻以及位于所述加热电阻相对两侧的上游热敏元件和下游热敏元件，包括：

在所述基底的表面沉积多晶硅，并掺杂形成N+形多晶硅层；

图形化所述N+形多晶硅层，形成加热电阻以及位于所述加热电阻相对两侧的上游热敏元件和下游热敏元件。