[发明专利]一种硅负极材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202210196830.0 | 申请日： | 2022-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN114560464B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 冯金奎;王正冉 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;C01B33/037;H01G11/30;H01M4/38;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王志坤 |
| 地址： | 250061 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 负极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅负极材料的制备方法，其特征在于：以硅锰合金作为前驱体，采用酸对前驱体进行刻蚀处理，脱除其中的Mn元素后形成层状结构；
其中，硅锰合金为Mn65Si17、Mn60Si14或两者的复合物；
刻蚀时间为72-120h；刻蚀温度为0-40℃。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述酸包括盐酸、硫酸、硝酸、高氯酸、硒酸、氢溴酸、氢碘酸、氯酸中任意一种或两种以上混合物。
3. 根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述酸的浓度为6-12 mol/L。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将刻蚀后得到的产物进行离心。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，离心时间为5min，转速为1500rpm。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，对离心后的产物进行真空抽滤并真空烘干。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，真空烘箱中烘干温度为80-120℃，时间为24h-48h。
8.根据上述权利要求任一项所述制备方法制备得到的硅负极材料。
9.根据权利要求8所述硅负极材料在半导体、储能领域中应用。
10.根据权利要求8所述硅负极材料在在半导体器件、锂离子电池、超级电容器中的应用。
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