[发明专利]偏置电阻内置晶体管的制作方法及偏置电阻内置晶体管

权利要求书

1.一种偏置电阻内置晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供输入端、基极、发射极、电阻集及集电极，所述电阻集包括至少两个基础电阻；

将所述电阻集中每一所述基础电阻的一端与所述基极连接；

根据晶体管内置电阻电阻值需求，将所述输入端与所述电阻集中的至少一个所述基础电阻连接，得到接入所述输入端与所述基极之间的第一电阻；将所述电阻集的余下基础电阻中的至少一个所述基础电阻与所述发射极连接，得到并联在所述基极与所述发射极之间的第二电阻；

将所述基极与所述集电极导通，以得到目的偏置电阻内置晶体管。

2.根据权利要求1所述的偏置电阻内置晶体管的制作方法，其特征在于，至少两个所述基础基础电阻的电阻值相同。

3.根据权利要求2所述的偏置电阻内置晶体管的制作方法，其特征在于，所述电阻集包括7个基础电阻，7个所述基础电阻的尺寸和材质均相同。

4.根据权利要求3所述的偏置电阻内置晶体管的制作方法，其特征在于，所述目的偏置电阻内置晶体管包括第一电阻与第二电阻的比值为1:1或1:10的标准偏置电阻内置晶体管。

5.根据权利要求1所述的偏置电阻内置晶体管的制作方法，其特征在于，在所述将所述输入端与所述电阻集中的至少一个所述基础电阻连接的步骤中，包括：

将所述输入端与所述电阻集中的至少一个基础电阻的另一端连接；或者，

根据晶体管内置电阻电阻值需求，获取第一电阻的电阻值，然后再根据第一电阻的电阻值大小在所述电阻集的至少一个基础电阻上确定第一连接点；

将所述输入端与所述基础电阻上确定的第一连接点连接。

6.根据权利要求1所述的偏置电阻内置晶体管的制作方法，其特征在于，在所述将所述电阻集的余下基础电阻中的至少一个所述基础电阻与所述发射极连接的步骤中，包括：

将所述集电极的余下基础电阻中的至少一个所述基础电阻的一端与所述发射极连接；或者，

获取第二电阻的电阻值需求，根据第二电阻的电阻值需求在所述电阻集的至少一个基础电阻上确定第二连接点；

将所述基础电阻上确定的第二连接点与所述发射极连接。

7.一种偏置电阻内置晶体管，其特征在于，所述偏置电阻内置晶体管采用如权利要求1至6任一项所述的偏置电阻内置晶体管的制作方法制作而成；其中，所述偏置电阻内置晶体管包括：输入端、基极、电阻集、发射极及集电极，所述电阻集包括至少两个基础电阻；

所述电阻集中的每一所述基础电阻的一端与所述基极连接；

所述输入端与所述电阻集中的至少一个基础电阻连接；

所述发射极与所述电阻集的余下基础电阻中的至少一个所述基础电阻连接；

所述基极与所述集电极导通。

8.根据权利要求7所述的偏置电阻内置晶体管，其特征在于，所述基础电阻的电阻值相同。

9.根据权利要求8所述的偏置电阻内置晶体管，其特征在于，所述第一电阻与所述第二电阻的比值为1:1或者1:10。

10.根据权利要求8所述的偏置电阻内置晶体管，其特征在于，所述基础电阻的材质为多晶硅，所述至少两个基础电阻的横截面和长度均相同。