[发明专利]一种制备高性能铝基复合材料散热基板的方法有效
申请号: | 202210188318.1 | 申请日: | 2022-02-28 |
公开(公告)号: | CN114582730B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 傅蔡安;傅菂;李成力 | 申请(专利权)人: | 江南大学 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;C22C1/10;C22C1/02;B22D7/00;B22D19/00;B22D27/11;B22D27/20;C22C21/00;C22C26/00;B22D21/04 |
代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 严梅芳 |
地址: | 214122 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 性能 复合材料 散热 方法 | ||
1.一种制备高性能铝基复合材料散热基板的方法,其特征在于:包括加工设备,加工设备的具体结构为:包括真空加热炉,所述真空加热炉内放置钢制坩埚(4),所述钢制坩埚(4)内底面设置有强氧化剂(5),所述强氧化剂(5)和钢制坩埚(4)的上表面同时放置成形模具,成形模具上表面放置铝块(2),所述真空加热炉一端通过管路连接真空泵(8),另一端通过管路连接氮气罐(9);
操作过程如下:
第一步:准备陶瓷颗粒(3),将陶瓷颗粒(3)进行配比,通过振动和压实工作,将陶瓷颗粒(3)压制成粉料块;
第二步:通过模具钢隔板(1)、铝箔支撑成形模具,将第一步中得到的石粉料块装入成形模具的两铝箔之间的凹槽内;
第三步:在钢制坩埚(4)内部凹槽内铺上一层强氧化剂(5);
第四步:将成形模具放入钢制坩埚(4)内部,将计算好体积的铝块(2)放置在成形模具上,同钢制坩埚(4)一起放入真空加热炉中;
第五步:真空泵(8)工作,开始抽真空,真空度达到10Pa-10-2Pa,停止抽真空;
第六步:真空加热炉开始进行加热,加热温度设定650℃-800℃,加热时间30-120分钟,保温60-240分钟;
第七步:将铝锭放入熔铝炉中,设置加热温度为650℃-850℃,打开加热开关,使铝锭熔化,制备精炼的铝液,为后面铝液的浇铸和挤压做准备;
第八步:打开压力机压槽(12)的加热开关,对压力机压槽(12)进行预热,设定温度为400℃-500℃;
第九步:待加热炉中铝块(2)完全熔化并覆盖成型模具后,氮气罐(9)工作,开始充入氮气,待真空加热炉的炉内、外压强平衡后,停止充入氮气;
第十步:打开真空加热炉的炉门,将覆有铝液(10)的成形模具取出,然后放入预热好的压力机压槽(12)内;往压铸模具内注入精炼好的铝液,直至铝液完全包裹成形模具;
第十一步:开启压机,设定压力机的压力参数,压力为30Mpa-150Mpa,使压头(11)缓慢挤压铝液(10),直至压机压头(11)不再下降为止,在高压下保压5分钟-30分钟,待压铸铝液冷却凝固后撤压;
第十二步:将压铸模具内的铝锭顶出,脱模后得到铝基金刚石散热复合材料的压铸坯板。
2.如权利要求1所述的一种制备高性能铝基复合材料散热基板的方法,其特征在于:第一步中,陶瓷颗粒(3)选用金刚石颗粒。
3.如权利要求1所述的一种制备高性能铝基复合材料散热基板的方法,其特征在于:第三步中,强氧化剂(5)采用铜粉。
4.如权利要求1所述的一种制备高性能铝基复合材料散热基板的方法,其特征在于:第三步中,钢制坩埚(4)通过石墨和耐热钢制备而成。
5.如权利要求1所述的一种制备高性能铝基复合材料散热基板的方法,其特征在于:第四步中,铝块(2)的体积保证铝块(2)被熔化后,刚好淹没成形模具。
6.如权利要求1所述的一种制备高性能铝基复合材料散热基板的方法,其特征在于:第五步中,真空度为0.1Pa。
7.如权利要求1所述的一种制备高性能铝基复合材料散热基板的方法,其特征在于:第七步中,熔铝炉设置在外部。
8.如权利要求1所述的一种制备高性能铝基复合材料散热基板的方法,其特征在于:第八步中,加热温度为450℃。
9.如权利要求1所述的一种制备高性能铝基复合材料散热基板的方法,其特征在于:第十一步中,压力机的压力为60Mpa。
10.如权利要求1所述的一种制备高性能铝基复合材料散热基板的方法,其特征在于:第十一步中,保压时间为20分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江南大学,未经江南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210188318.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造