[发明专利]存储芯片的测试方法和测试装置、电子设备

说明书

本申请实施例涉及一种存储芯片的测试方法和测试装置、电子设备。该方法包括：开启待测存储芯片中的存储单元；在存储单元中写入测试数据；从存储单元中读取与测试数据对应的存储数据；根据测试数据与存储数据，生成待测存储芯片的测试结果；其中，开启待测存储芯片中的存储单元时的字线开启电压大于存储单元的标准开启电压；和/或，存储单元的开启时间大于存储单元的标准开启时间。避免了在预设存储芯片中的存储单元中写入测试数据时，存储单元中存储的电荷不足进而影响电容电荷保存时间的测试，同时缩短了写入测试数据的时间，节约了测试成本，提高了存储芯片的良率。

技术领域

本申请实施例涉及半导体技术领域，特别是涉及一种存储芯片的测试方法和测试装置，以及一种电子设备。

背景技术

动态随机存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)是一种常见的存储器件，动态随机存储器一般包括多个存储单元，每个存储单元通过一个电容储存数据信号“0”或“1”。其中，每个电容存储高电平“1”的时长需要达到预设的时长，才能避免所存储的数据发生错误，实现动态随机存储器的动态存储功能。电容电荷保存时间(Retention)是指在DRAM中ACT指令(active)后电容充电完成后的电荷保存时间，如何准确测试动态随机存储器中每个存储单元的电容电荷保存时间，以筛选出电容电荷保存时间不足的存储单元成为急需解决的问题。

发明内容

本申请提供了一种存储芯片的测试方法和测试装置，以及一种电子设备，可以优化动态随机存储器中存储单元的电容电荷保存时间的测试，达到准确筛选出电容电荷保存时间不足的存储单元，消除容电荷保存时间不足导致的存储数据信号发生错误的目的。

本申请提供一种存储芯片的测试方法，包括：

开启待测存储芯片中的存储单元；

在存储单元中写入测试数据；

从存储单元中读取与测试数据对应的存储数据；

根据测试数据与存储数据，生成待测存储芯片的测试结果；

其中，开启待测存储芯片中的存储单元时的字线开启电压大于存储单元的标准开启电压；和/或，存储单元的开启时间大于存储单元的标准开启时间。

在其中一个实施例中，从存储单元中读取与测试数据对应的存储数据之前，包括：

向存储单元施加预设衬底电压；

其中，预设衬底电压小于存储单元的标准字线衬底电压。

在其中一个实施例中，在存储单元中写入测试数据的步骤与从存储单元中读取与测试数据对应的存储数据的步骤之间具有一段静置时间。

在其中一个实施例中，所述静置时间大于等于30ms且小于等于200ms。

在其中一个实施例中，在第一方向上，待测存储芯片包括多列存储单元，每一列存储单元采用一个或者多个检测周期；

在存储单元中写入测试数据，包括：

在处于同一个检测周期内的存储单元中写入测试数据；

从存储单元中读取与测试数据对应的存储数据，包括：

从处于同一个检测周期内的存储单元中读取存储数据。

在其中一个实施例中，待测存储芯片的各列存储单元按照遍历的形式进行测试；其中，遍历的方向为第一方向。

在其中一个实施例中，在第二方向上，待测存储芯片包括多行存储单元，每一行存储单元采用一个或者多个检测周期；

在存储单元中写入测试数据，包括：

在处于同一个检测周期内的存储单元中写入测试数据；