[发明专利]一种外延隔离LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210169458.4 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114628551A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 田杰;简弘安;张星星;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 外延 隔离 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种外延隔离LED芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底，在所述衬底上形成第一光刻图形，刻蚀出与所述第一光刻图形相应的图形，以使在所述衬底上形成凹槽；
分别在所述凹槽的底部、侧壁及顶部沉积抑制外延层生长的化合物；
通过刻蚀分别去除在所述凹槽的顶部和底部沉积的所述化合物；
在所述衬底上形成第二光刻图形，刻蚀出与所述第二光刻图形相应的图案，并依次在所述凹槽的底部生长N型半导体层、发光层和P型半导体层。
2.根据权利要求1所述的外延隔离LED芯片制备方法，其特征在于，所述凹槽的深度为5um-15um。
3.根据权利要求1所述的外延隔离LED芯片制备方法，其特征在于，所述化合物为氧化物或氮化物。
4.根据权利要求1所述的外延隔离LED芯片制备方法，其特征在于，所述第二光刻图形为圆锥。
5.根据权利要求1所述的外延隔离LED芯片制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。
6.根据权利要求1所述的外延隔离LED芯片制备方法，其特征在于，在分别在所述凹槽的底部、侧壁及顶部沉积化合物的步骤中：
将第一气体反应剂通入腔体，控制通入时间为0.1s-60s；
停止通入第一气体反应剂，通入吹扫气体将腔体内残留的所述第一气体反应剂去除，并控制吹入时间为0.1s-60s，所述吹扫气体包括惰性气体；
将第二气体反应剂通入腔体，控制通入时间为0.1s-60s；
停止通入第二气体反应剂，通入所述吹扫气体将腔体内残留的所述第二气体反应剂去除，并控制吹入时间为0.1s-60s；
循环重复上述步骤，直至沉积化合物的厚度达到预设厚度。
7.根据权利要求1所述的外延隔离LED芯片制备方法，其特征在于，所述化合物的厚度为10nm-1000nm。
8.一种外延隔离LED芯片，其特征在于，包括衬底、及从下至上依次设于衬底上的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，所述衬底设有凹槽，所述凹槽内侧壁上设有抑制外延层生长的化合物，所述N型半导体层、所述发光层、所述P型半导体层分别位于所述凹槽内。
9.根据权利要求8所述的外延隔离LED芯片，其特征在于，所述凹槽的深度为5um-15um。
10.根据权利要求8所述的外延隔离LED芯片，其特征在于，所述化合物为氧化物或氮化物。
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