[发明专利]一种抗干扰射频前端、频谱检测系统及电子设备在审
| 申请号: | 202210167417.1 | 申请日: | 2022-02-23 |
| 公开(公告)号: | CN114578390A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
| 发明(设计)人: | 李振业;邱昕;柴旭荣 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | G01S19/21 | 分类号: | G01S19/21;G01S19/36;H04B17/00 |
| 代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 抗干扰 射频 前端 频谱 检测 系统 电子设备 | ||
1.一种抗干扰射频前端,其特征在于,所述抗干扰射频前端包括:开关模块、以及和所述开关模块连接的滤波放大模块、控制信号模块和自动增益控制模块;
其中,所述开关模块包括第一开关单元,以及依次与所述第一开关单元连接的第二开关单元和下地电阻;
所述第一开关单元包括两个第一开关和设置在两个所述第一开关之间的非门,两个所述第一开关共用一套控制逻辑,两个所述第一开关对应的控制信号是经过所述非门取反后呈相反状态的一组控制信号;
所述控制信号模块包括数字电连接单元,以及与所述数字电连接单元连接的非反向转换单元,所述非反向转换单元与所述滤波放大模块连接;所述非反向转换单元被配置为作为所述数字电连接单元与所述滤波放大模块之间的缓冲,增强控制信号的可靠性和驱动力。
2.根据权利要求1所述的抗干扰射频前端,其特征在于,所述抗干扰射频前端还包括和所述滤波放大模块连接的电源与过流保护模块,所述电源与过流保护模块被配置为监控所述滤波放大模块的低噪放工作电流,在所述低噪放工作电流大于或者等于预设低噪放大器的工作电流的情况下,控制所述电源与过流保护模块切断所述滤波放大模块的供电。
3.根据权利要求2所述的抗干扰射频前端,其特征在于,所述电源与过流保护模块包括和所述滤波放大模块的低噪放供电端连接的并联的第一PMOS管和第二PMOS管,以及和所述第一PMOS管和所述第二PMOS管串联的NMOS管;
在施加于所述NMOS管上的过流报警信号为高电平的情况下,所述NMOS管处于导通状态,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管处于导通状态,被监控的所述低噪放供电端得到供电处于正常工作状态;
在所述低噪放工作电流大于或者等于预设低噪放大器的工作电流的情况下,控制所述过流警报信号拉低至零电平,所述NMOS管处于截止状态,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管处于截止状态,控制所述电源与过流保护模块切断所述滤波放大模块的供电,完成对所述滤波放大模块的过流保护。
4.根据权利要求1所述的抗干扰射频前端,其特征在于,所述控制信号模块还包括设置在所述非反向转换单元和所述滤波放大模块之间的译码单元,所述译码单元被配置为,辅助所述非反向转换单元控制所述滤波放大模块中的多个低噪放的开关状态。
5.根据权利要求1所述的抗干扰射频前端,其特征在于,所述第一开关单元包括至少两个第一开关;所述第二开关单元包括至少四个第二开关;
所述第一开关为1:2开关;所述第二开关为1:12开关。
6.根据权利要求1-4任一所述的抗干扰射频前端,其特征在于,所述非反向转换单元包括多个8位非反向转换器。
7.根据权利要求4任一项所述的抗干扰射频前端,其特征在于,所述译码单元包括多个4:16译码器。
8.根据权利要求2所述的抗干扰射频前端,其特征在于,所述预设低噪放大器的工作电流为100毫安。
9.一种频谱检测系统,包括基带模块、射频收发模块、抗干扰射频前端及天线模块,其特征在于,所述抗干扰射频前端包括权利要求1-8任一所述的抗干扰射频前端。
10.一种电子设备,其特征在于,包括:一个或多个处理器;和其上存储有指令的一个或多个机器可读介质,当由所述一个或多个处理器执行时,使得所述电子设备执行权利要求9所述的频谱检测系统。
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