[发明专利]一种实现Bi2 有效
| 申请号： | 202210161095.X | 申请日： | 2022-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN114525494B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 罗鑫;韩梦微;熊伟明;陈彦聪;张帮敏;郑跃 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司： | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人： | 高冰 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 bi base sub | ||
1.一种实现Bi2O2Se微米梯台的化学气相沉积的制备方法，其特征在于，以Al2O3基片作为衬底，以Bi2O3粉末和Bi2Se3块体作为前驱物，将前驱物置于化学气相沉积系统的热源中心，并将基片置于距热源中心8-12cm处，对化学气相沉积系统进行气体流速和沉积气压控制后升温至高温成核温度进行成核，成核后再降温至低温生长段进行生长，生长完后经自然冷却即可获得Bi2O2Se微米梯台结构；所述Al2O3基片为(0001)取向的Al2O3基片，成核的温度为650-700℃，时间为10-30min，生长的温度为600-650℃，且生长时间和成核时间的总和为1小时，气体流速为70-90sccm，沉积气压为2.5×103-3×103Pa，且所用的沉积气体为氩气。
2.根据权利要求1所述的一种实现Bi2O2Se微米梯台的化学气相沉积的制备方法，其特征在于，所述Bi2O3粉末和Bi2Se3块体的纯度均不低于99.99％，且单次生长的质量比为2:1。
3.根据权利要求1所述的一种实现Bi2O2Se微米梯台的化学气相沉积的制备方法，其特征在于，气体流速和沉积气压控制前，先将化学气相沉积系统的真空抽至10Pa以下，以高于150sccm的高纯氩气清洗管路3-5min。
4.根据权利要求1所述的一种实现Bi2O2Se微米梯台的化学气相沉积的制备方法，其特征在于，升温至高温成核温度的升温速度为20℃/min。
5.根据权利要求1所述的一种实现Bi2O2Se微米梯台的化学气相沉积的制备方法，其特征在于，Al2O3基片在使用前，先放入丙酮/乙醇/水混合液中超声清洗5-10min，然后再以水超声清洗5-10min，最后吹干基片，并紫外清洗干净。
6.采用权利要求1-5任一项所述的制备方法制备得到的Bi2O2Se微米梯台。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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