[发明专利]一种闪存颗粒的筛选方法和装置在审
| 申请号: | 202210153065.4 | 申请日: | 2022-02-18 |
| 公开(公告)号: | CN116469448A | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
| 发明(设计)人: | 熊建林;张浩明;王龙;潘玉茜 | 申请(专利权)人: | 武汉置富半导体技术有限公司 |
| 主分类号: | G11C29/08 | 分类号: | G11C29/08 |
| 代理公司: | 北京中强智尚知识产权代理有限公司 11448 | 代理人: | 黄耀威 |
| 地址: | 430073 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 闪存 颗粒 筛选 方法 装置 | ||
本申请公开了一种闪存颗粒筛选方法和装置,其中方法包括:对各待测试的目标闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试,获取各待测试闪存颗粒在第一预设温度下的各筛选参数的第一参数值,以及获取各目标闪存颗粒在第二预设温度下各筛选参数的第二参数值;基于各筛选参数以及筛选参数与评分权重值的对应关系,匹配获得与各筛选参数对应的评分权重值;至少基于各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一参数值、各筛选参数的第二参数值以及各所述筛选参数的评分权重值,计算获得各所述筛选参数的筛选评分值;基于各闪存颗粒的各筛选参数的筛选评分值,对各闪存颗粒进行筛选,以获得筛选结果。本申请中的闪存颗粒的筛选方法可以使筛选结果更加准确。
技术领域
本申请涉及闪存分析技术领域,特别涉及一种闪存颗粒的筛选评分方法和装置。
背景技术
存储芯片的生产流程为,硅晶棒切割打磨成晶圆,然后晶圆经过光刻和蚀刻成若干片Die(Die是指从晶圆上切割出来的一块具有完整功能的芯片),经过晶圆针测后,将切割下来的Die进行初步检测分类。原厂会将测试合格的Die进行封装并打上自己的商标,这便是原厂颗粒,简单理解就是经过精挑细选的高品质颗粒,而没有通过检测的便是降级颗粒。由于在芯片生产过程中不可避免的有不合格颗粒产生,并且从这些不合格的颗粒中还能进行筛选检测出能够正常使用的颗粒,因此一般存储原厂会将这些颗粒流到下游封装厂进行加工、回收利用。
原厂芯片的规格单一,经过筛选后的宽温颗粒量少而且价格高昂;市场上流通的存储芯片品质不一;不同应用方案的厂商无法有效的对筛选符合需要的工规、军规、车规、航天应用的闪存芯片。如果制成成品再去筛选,通过率低,损耗成本巨大。
传统方法筛选时,都是在恒定温度(高温85℃或者低温-10℃)下进行读写操作来鉴别颗粒等级,高低温的测试是分开的,或者单一温度(高温或者低温)来做测试筛选,不够全面,以往的筛选方法只考虑了颗粒本身的参数范围,没有参照成品的工作要求反馈,所以结果不够全面和准确。因此亟需一种闪存颗粒的筛选评分方法以解决上述问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种闪存颗粒的筛选方法和装置,主要目的在于解决目前存在闪存颗粒筛选不够全面,不准确的问题。
为解决上述问题,本申请提供一种闪存颗粒的筛选方法,包括:
对各待测试的目标闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试,获取各所述待测试闪存颗粒在所述第一预设温度下的、各筛选参数的第一参数值,以及获取各所述目标闪存颗粒在所述第二预设温度下的、各所述筛选参数的第二参数值;
基于各所述筛选参数以及筛选参数与评分权重值的对应关系,匹配获得与各所述筛选参数对应的评分权重值;
至少基于各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一参数值、各筛选参数的第二参数值以及各所述筛选参数的评分权重值,计算获得各所述筛选参数的筛选评分值;
基于各所述闪存颗粒的各筛选参数的筛选评分值,对各所述闪存颗粒进行筛选,以获得筛选结果。
可选的,在对各待测试目标闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试之前,所述方法还包括:获取各所述待测试目标闪存颗粒,具体包括:
在目标预设温度下对各初始闪存颗粒进行目标预设温度测试,获得各初始闪存颗粒在所述目标预设温度下的、各筛选参数的初始参数值;
基于各所述初始闪存颗粒的各筛选参数的初始参数值,对各所述初始闪存颗粒进行筛选,获得各所述待测试的目标闪存颗粒。
可选的,所述在目标预设温度下对各初始闪存颗粒进行目标预设温度测试,获得各初始闪存颗粒在所述目标预设温度下的、各筛选参数的初始参数值,具体包括:
在目标预设温度下对各初始闪存颗粒进行目标预设温度测试,获取各所述初始闪存颗粒的各基本参数初始参数值;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉置富半导体技术有限公司,未经武汉置富半导体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210153065.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





