[发明专利]真空镀膜设备

说明书

本发明公开了一种真空镀膜设备，其包括镀膜机箱、多个蒸发舟、电极、正极电性件、负极电性件和连接电性件。镀膜机箱内设有真空镀膜腔，正极电性件和负极电性件安装于镀膜机箱外，电极安装于真空镀膜腔内，多个蒸发舟呈纵向排列地安装于真空镀膜腔内，蒸发舟的正极端电性连接于正极电性件，蒸发舟的负极端电性连接于负极电性件。正极电性件、负极电性件和连接电性件的第一端位于同一侧，正极电性件、负极电性件和连接电性件的第二端位于同一侧，正极电性件的第一端用于与电源的正极相接，连接电性件的第二端与负极电性件的第二端电性相连，连接电性件的第一端用于与电源负极相接。本发明的真空镀膜设备能使各蒸发舟的发热功率相等。

技术领域

本发明涉及镀膜设备领域，尤其涉及一种真空镀膜设备。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)镀膜技术具有沉积温度低，沉积速率较高等诸多特点，是制备膜层常用技术手段。所谓PECVD工艺是指，借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的反应气体电离形成等离子体，并利用等离子体化学活性强的特点，发生反应在基片上沉积出所期望的薄膜的工艺方法。为获得稳定的反应气体，现有镀膜设备内设有多个蒸发舟，利用蒸发舟蒸发镀膜材料得到反应气体。

如图11所示，现有的镀膜设备中从上至下设有一列蒸发舟01，镀膜设备设有正极铜板02和负极铜板03，正极铜板02的下端接电源正极，负极铜板03的下端接电源负极，蒸发舟01的正极端连接正极铜板02，蒸发舟01的负极端连接负极铜板03，从图11可见，越位于下方的蒸发舟01的电压越高，当各蒸发舟01的电阻值相等时，位于下方的蒸发舟01的发热功率要比位于上方的高，因此真空腔下半部分蒸发所得的反应气体要较上半部分更浓，导致蒸发不均，影响基片的镀膜效果。

因此，亟需要一种使各蒸发舟的发热功率相等的真空镀膜设备来克服上述缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种使各蒸发舟的发热功率相等的真空镀膜设备。

为实现上述目的，本发明的真空镀膜设备包括镀膜机箱、多个蒸发舟、电极、正极电性件和负极电性件，正极电性件与负极电性件的电阻率相等，正极电性件与负极电性件为各处等截面的结构，镀膜机箱内设有真空镀膜腔，正极电性件和负极电性件安装于镀膜机箱外，电极安装于真空镀膜腔内，多个蒸发舟呈纵向排列地安装于真空镀膜腔内，蒸发舟的正极端电性连接于正极电性件，蒸发舟的负极端电性连接于负极电性件，正极端在正极电性件上呈等间距布置，负极端在负极电性件上呈等间距布置，每一蒸发舟的正极端、负极端呈正对布置，其特征在于，还包括一连接电性件，正极电性件、负极电性件和连接电性件的第一端位于同一侧，正极电性件、负极电性件和连接电性件的第二端位于同一侧，正极电性件的第一端用于与电源的正极相接，连接电性件的第二端与负极电性件的第二端电性相连，连接电性件的第一端用于与电源的负极相接。

较佳地，正极电性件、负极电性件及连接电性件均为长条状铜板结构。

较佳地，正极电性件、负极电性件和连接电性件沿纵向延伸布置。

较佳地，镀膜机箱内还设有一蒸发腔，蒸发腔与真空镀膜腔相隔开布置，蒸发腔设有一气流出口，蒸发腔借由气流出口与真空镀膜腔连通，电极呈靠近气流出口布置，蒸发舟设于蒸发腔中。

较佳地，镀膜机箱向外凹陷而形成蒸发腔。

较佳地，真空镀膜腔内安装有一隔板，隔板将真空镀膜腔与蒸发腔相隔开。

较佳地，隔板上远离电极的三个侧边均连接于真空镀膜腔的腔壁上，隔板上靠近电极的侧边偏离于真空镀膜腔的腔壁并与真空镀膜的腔壁围出气流出口。

较佳地，本发明的真空镀膜设备还包括一喷吹装置，喷吹装置设于蒸发腔内，喷出装置适于吹出惰性气体，以使蒸发所得的反应气体混合惰性气体一同流出气流出口。

较佳地，喷吹装置包括喷吹管，喷吹管设于蒸发腔内，喷吹管上开设有若干喷吹孔。