[发明专利]一种阵列基板和显示面板在审
申请号: | 202210147644.8 | 申请日: | 2022-02-17 |
公开(公告)号: | CN114678379A | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 马志丽;郭升;朱正勇;黄冠儒;田苗苗 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/02;H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 | ||
本发明公开了一种阵列基板和显示面板。阵列基板包括衬底、多个像素电路、多条扫描线、多条数据线,每个像素电路包括薄膜晶体管;每个像素电路与至少一条对应的扫描线电连接;每个像素电路与至少一条对应的数据线电连接;扫描线至少包括与一像素电路对应电连接的第一扫描线和第二扫描线,数据线至少包括与一像素电路对应电连接的第一数据线,第一数据线与薄膜晶体管的有源层的连接点在衬底上的正投影位于第二扫描线在衬底上的正投影远离第一扫描线在衬底上的正投影的一侧。通过上述方式,本发明能够降低由于数据电压跳变导致显示串扰的发生几率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及阵列基板和显示面板。
背景技术
现有的显示设备一般是利用薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)阵列基板作为驱动基板,TFT阵列基板一般包括多条扫描线,多条数据线,以及多个像素电路,每个像素电路包括多个TFT,每个像素电路分别与对应的扫描线和数据线电连接。现有阵列基板布线设计中,数据线与驱动TFT的寄生电容较大,当数据电压跳变时,容易导致串扰发生,造成显示不良。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板和显示面板,能够降低由于数据电压跳变导致显示串扰的发生几率。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种阵列基板,阵列基板包括衬底、多个像素电路、多条扫描线、多条数据线,每个像素电路包括薄膜晶体管;每个像素电路与至少一条对应的扫描线电连接;每个像素电路与至少一条对应的数据线电连接;扫描线至少包括与一像素电路对应电连接的第一扫描线和第二扫描线,数据线至少包括与一像素电路对应电连接的第一数据线,第一数据线与薄膜晶体管的有源层的连接点在衬底上的正投影位于第二扫描线在衬底上的正投影远离第一扫描线在衬底上的正投影的一侧。
其中,阵列基板包括发光使能信号线,每个像素电路与至少一条对应的发光使能信号线电连接,发光使能信号线至少包括与一像素电路对应电连接的第一发光使能信号线,第一数据线与薄膜晶体管的有源层的连接点在衬底上的正投影位于第二扫描线在衬底上的正投影与第一使能信号线在衬底上的正投影之间。
其中,像素电路包括电源提供单元、数据写入单元、驱动单元和初始化单元,电源提供单元连接发光使能信号线,为像素电路提供电源信号,数据写入单元用于接收扫描信号,数据写入单元至少包括一个薄膜晶体管,用于根据扫描信号将数据信号写入驱动单元并保存,驱动单元连接数据写入单元和电源提供单元,驱动单元至少包括一个薄膜晶体管,用于接收电源信号并根据数据信号驱动发光单元发光,初始化单元至少用于初始化驱动单元中的薄膜晶体管的栅极。
其中,数据写入单元包括第一薄膜晶体管,第一薄膜晶体管包括控制端、第一通路端以及第二通路端,第一薄膜晶体管的控制端与第二扫描线连接,第一薄膜晶体管的第一通路端与第一数据线连接,第一薄膜晶体管的第二通路端与驱动单元连接,第一薄膜晶体管为双栅晶体管。
其中,第二扫描线包括第一栅极部分和第二栅极部分,其中,第一栅极部分在衬底上的正投影至少部分位于第一薄膜晶体管的有源层的第一沟道区域在衬底上的正投影中,以使第一栅极部分作为第一薄膜晶体管的第一栅极;第二栅极部分在衬底上的正投影至少部分位于第一薄膜晶体管的有源层的第二沟道区域在衬底上的正投影中,以使第二栅极部分作为第一薄膜晶体管的第二栅极,形成双栅晶体管,且第一薄膜晶体管的第一栅极和第二栅极连接在同一条扫描线上。
其中,驱动单元包括第二薄膜晶体管,第二薄膜晶体管包括控制端、第一通路端以及第二通路端,第二薄膜晶体管的控制端与初始化单元连接,第二薄膜晶体管的第一通路端与第一薄膜晶体管的第二通路端连接,第二薄膜晶体管的第二通路端与显示面板的发光单元连接。
其中,数据写入单元还包括第三薄膜晶体管,第三薄膜晶体管包括控制端、第一通路端以及第二通路端,第三薄膜晶体管的控制端与第二扫描线连接,第三薄膜晶体管的第一通路端与初始化单元连接,第三薄膜晶体管的第二通路端与第二薄膜晶体管的第二通路端连接,第三薄膜晶体管为双栅晶体管。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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