[发明专利]一种阵列基板和显示面板在审
申请号: | 202210147644.8 | 申请日: | 2022-02-17 |
公开(公告)号: | CN114678379A | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 马志丽;郭升;朱正勇;黄冠儒;田苗苗 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/02;H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底;
多个像素电路,每个所述像素电路包括薄膜晶体管;
多条扫描线,每个所述像素电路与至少一条对应的扫描线电连接;
多条数据线,每个所述像素电路与至少一条对应的数据线电连接;
所述扫描线至少包括与一所述像素电路对应电连接的第一扫描线和第二扫描线,所述数据线至少包括与一所述像素电路对应电连接的第一数据线,所述第一数据线与所述薄膜晶体管的有源层的连接点在所述衬底上的正投影位于所述第二扫描线在所述衬底上的正投影远离所述第一扫描线在所述衬底上的正投影的一侧。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
发光使能信号线,每个所述像素电路与至少一条对应的发光使能信号线电连接,所述发光使能信号线至少包括与一所述像素电路对应电连接的第一发光使能信号线,所述第一数据线与所述薄膜晶体管的有源层的连接点在所述衬底上的正投影位于所述第二扫描线在所述衬底上的正投影与所述第一使能信号线在所述衬底上的正投影之间。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
所述像素电路包括电源提供单元、数据写入单元、驱动单元和初始化单元,所述电源提供单元连接所述发光使能信号线,为所述像素电路提供电源信号,所述数据写入单元用于接收扫描信号,所述数据写入单元至少包括一个薄膜晶体管,用于根据所述扫描信号将数据信号写入所述驱动单元并保存,所述驱动单元连接所述数据写入单元和所述电源提供单元,所述驱动单元至少包括一个薄膜晶体管,用于接收所述电源信号并根据所述数据信号驱动发光单元发光,所述初始化单元至少用于初始化所述驱动单元中的薄膜晶体管的栅极。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,
所述数据写入单元包括第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括控制端、第一通路端以及第二通路端,所述第一薄膜晶体管的控制端与所述第二扫描线连接,所述第一薄膜晶体管的第一通路端与所述第一数据线连接,所述第一薄膜晶体管的第二通路端与所述驱动单元连接,所述第一薄膜晶体管为双栅晶体管。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,
所述第二扫描线包括第一栅极部分和第二栅极部分,其中,所述第一栅极部分在所述衬底上的正投影至少部分位于所述第一薄膜晶体管的有源层的第一沟道区域在所述衬底上的正投影中,以使所述第一栅极部分作为所述第一薄膜晶体管的第一栅极;所述第二栅极部分在所述衬底上的正投影至少部分位于所述第一薄膜晶体管的有源层的第二沟道区域在所述衬底上的正投影中,以使所述第二栅极部分作为所述第一薄膜晶体管的第二栅极,形成双栅晶体管,且所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极和所述第二栅极连接在同一条扫描线上。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,
所述驱动单元包括第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管包括控制端、第一通路端以及第二通路端,所述第二薄膜晶体管的控制端与所述初始化单元连接,所述第二薄膜晶体管的第一通路端与所述第一薄膜晶体管的第二通路端连接,所述第二薄膜晶体管的第二通路端与显示面板的发光单元连接。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,
所述数据写入单元还包括第三薄膜晶体管,所述第三薄膜晶体管包括控制端、第一通路端以及第二通路端,所述第三薄膜晶体管的控制端与所述第二扫描线连接,所述第三薄膜晶体管的第一通路端与所述初始化单元连接,所述第三薄膜晶体管的第二通路端与所述第二薄膜晶体管的第二通路端连接,所述第三薄膜晶体管为双栅晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云谷(固安)科技有限公司,未经云谷(固安)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210147644.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的