[发明专利]集成电路结构及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路结构的制造方法，其特征在于，包含：

形成在一基板上方延伸的一鳍结构；

形成横跨该鳍结构延伸的多个伪栅极结构，该些伪栅极结构中的每一者包含一伪栅电极层及该伪栅电极层上方的一硬遮罩层；

执行一离子植入制程以对该些伪栅极结构的该些硬遮罩层进行掺杂；

在执行该离子植入制程以对该些伪栅极结构的该些硬遮罩层进行掺杂之后，执行一第一蚀刻制程以对该些伪栅极结构之间的该鳍结构的一源极/漏极区域进行蚀刻以在该鳍结构的该源极/漏极区域中形成一凹槽；

在该凹槽中形成一磊晶结构；及

用多个金属栅极结构替换该些伪栅极结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该离子植入制程是以一倾斜角执行。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该鳍结构未被该离子植入制程掺杂。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该离子植入制程在该些伪栅极结构的该些硬遮罩层中形成多个掺杂区域，且该些伪栅极结构的该些硬遮罩层的多个其他区域未掺杂。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：

在执行该离子植入制程之后及执行该第一蚀刻制程之前，在该基板上方形成一图案化有机材料，该图案化有机材料在该鳍结构的该源极/漏极区域上方具有一开口，

其中该第一蚀刻制程以比蚀刻该些掺杂硬遮罩层快的一蚀刻速率蚀刻该图案化有机材料。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：

在该磊晶结构上形成一源极/漏极磊晶结构；及

在于该磊晶结构上形成该源极/漏极磊晶结构之后，用一背侧金属通孔替换该磊晶结构。

7.一种集成电路结构，其特征在于，包含：

一栅极结构；

多个栅极间隔物，位于该栅极结构的任一侧上；

多个源极/漏极磊晶结构，分别与该些栅极间隔物相邻；

一前侧互连结构，位于该些源极/漏极磊晶结构的一前侧上；

一背侧介电层，位于该些源极/漏极磊晶结构的一背侧上；及

一背侧通孔，穿过该背侧介电层延伸至该些源极/漏极磊晶结构中的一第一源极/漏极磊晶结构的该背侧，其中该些栅极间隔物具有朝向该背侧通孔降低的一掺杂剂的一浓度。

8.如权利要求7所述的集成电路结构，其特征在于，还包含：

多个半导体通道层，以一间隔方式上下配置，该些半导体通道层自该些源极/漏极磊晶结构中的该第一源极/漏极磊晶结构横向延伸至该些源极/漏极磊晶结构中的一第二源极/漏极磊晶结构，该栅极结构围绕该些半导体通道层中的每一者。

9.一种集成电路结构的制造方法，其特征在于，包含：

在一基板上方形成一伪栅极结构，且在该伪栅极结构的多个相对侧上形成多个栅极间隔物；

在该伪栅极结构及该些栅极间隔物之外的该基板的多个区域上磊晶生长多个源极/漏极结构；

在该些源极/漏极结构上方形成一层间介电层；

用一金属栅极结构替换该伪栅极结构；

使该金属栅极结构凹陷以降至低于该些栅极间隔物的多个顶端；

在该凹陷的金属栅极结构上方形成一栅极硬遮罩；

执行一离子植入制程以对该栅极硬遮罩进行掺杂；

在执行该离子植入制程以对该栅极硬遮罩进行掺杂之后，蚀刻该层间介电层以分别在该些源极/漏极结构上方形成多个源极/漏极接触开口；及

分别在该些源极/漏极接触开口中形成多个源极/漏极接触。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该离子植入制程是以一倾斜角执行。