[发明专利]半导体智慧线

说明书

本发明为一种半导体智慧线，是设置在第一半导体的输出特性表的汲源极压轴上，具有用闸极电压设定，指示输出特性表上源极电流应用限制的功能。

【技术领域】

本发明是关于一种半导体智慧线的技术领域，特别是一种在第一半导体的输出特性表(Output Characteristics)上设定闸极电压，当流经第一半导体的源极电流超过半导体智慧线时，具有指示第一半导体的汲极与源极开路功能的电子技术领域。

【背景技术】

从1947年双极性晶体管(Bipolar Transistor)发明以来至今，在其半导体资料单(Data Sheet)上从未出现在数据单的输出特性表上有本发明半导体智慧线及有关本发明半导体智慧线的功能，因此本发明可称开创性发明。

如图1所示，请参阅中国台湾专利证书号发明第I692163号「直流电源短路保护装置」，其专利权人与本发明申请人是同一人；自图中可知，其包括第一半导体10及第二半导体电路；第二半导体电路包括第二半导体11，第一电阻12及第二电阻13，第—半导体10的源极S连接直流电源100的负电端及第二半导体11的源极S，第一半导体10的汲极D连接电路负电端V-，第一半导体10的闸极G连接第二半导体11的汲极D；第二半导体11的汲极D连接第二电阻13的另一端，第二半导体11的源极S连接第—半导体10的源极S，第二半导体11的闸极G连接第一电阻12的—端，第一电阻12的另一端连接电路负电端V-，第二电阻13的—端连接电路正电端V+第一半导体10为N通道金属氧化半导体场效晶体管，第二半导体11为N通道金属氧化半导体场效晶体管；直流电源100的正电端连接电路正电端V+，直流电源100的负电端连接第一半导体10的源极S及第二半导体11的源极S；电路正电端V+连接负载200的正电端，电路负电端V-连接负载200的负电端；从其发明专利说明书中得知，其第一半导体10亦包括有图6中的第六半导体15，其为N型晶体管及图7中的第七半导体16，其为绝缘闸极双极晶体管；在此特别声明，本发明的第一半导体10包括有金属氧化半导体场效晶体管、绝缘闸极双极晶体管或N型晶体管；其现有技术的「直流电源短路保护装置」具有供一直流电源100在供电过程中提供负载200短路保护的功能。

【发明内容】

在图1及其现有技术的发明专利说明书中，并未提及以下第一半导体10有关的本发明半导体智慧线的建立与应用：

1.本发明半导体智慧线应用在N通道金属氧化半导体场效晶体管(NChannelMetal Semiconductor Field Effect Transistor,N Channel MOSFET)，具有用各种闸源极电压的设定，指示其相应的源极电流及其相对应的汲源极电压，当负载发生过载或短路时，因其超过相应的汲极电流与相对应的汲源极电压，则表示第一半导体的汲极与源极转变为开路，因此本发明半导体智慧线具有指示第一半导体的汲极(Drain)与源极(Source)开路的功能。

2.本发明半导体智慧线应用在绝缘闸极双极晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor,IGBT)具有用各种闸射极电压的设定，指示其相应的射极电流及其相对应的集射极电压，当负载发生过载或短路时，因其超过相应的射极电流与相对应的集射极电压，则表示第一半导体的集极与射极转变为开路，因此本发明半导体智慧线具有指示第一半导体的集极(Collector)与射极(Emitter)开路的功能。

3.本发明半导体智慧线应用在N型晶体管(N Type Transistor)具有用各种基极电流的设定，指示其相应的集极电流及其相对应的集射极电压，当负载发生过载或短路时，因其超过相应的射极电流与相对应的集射极电压，则表示第一半导体的集极与射极转变为开路，因此本发明半导体智慧线具有指示第一半导体的集极(Collector)与射极(Emitter)开路的功能。

本发明的目的:

本发明应用在第—半导体，具有用闸源极电压设定，当负载发生过载或短路时，指示第—半导体的汲极与源极开路的功能。