[发明专利]晶片

说明书

本发明提供一种晶片，包括环状部分以及加工部分。加工部分连接环状部分。加工部分具有经研磨的顶面以及相对于顶面的底面。加工部分被环状部分所环绕。顶面连接环状部分的区域为朝上弯曲的弧面。

技术领域

本发明涉及一种晶片，尤其涉及一种经加工的晶片。

背景技术

在半导体产业中，制造晶片的方法包括先形成晶碇(Ingot)，接着将晶碇切片以获得晶片。晶碇例如是在高温的环境中制造。目前，晶碇的生长方法包括柴可拉斯基法(Czochralski process)、物理气相传输法(Physical Vapor Transport,PVT)、高温化学气相沉积法(High Temperature Chemical Vapor Deposition,HT-CVD)法以及液相外延法(Liquid Phase Epitaxy,LPE)等。

在常见的晶碇制造方法中，晶种被置放于高温炉中，晶种接触气态或液态的原料，并形成半导体材料于晶种的表面，直到获得具有预期尺寸的晶碇为止。晶碇可以视制造方式与制造原料而有不同的结晶构造。

在晶碇生长完成后，以炉冷或其他方式使晶碇降温至室温。在晶碇降温之后，利用切割机把晶碇形状较差的头尾两端移除，接着用磨轮将晶碇研磨到想要的尺寸(例如3英吋至12英吋)。在一些实例中，于晶碇的边缘研磨出一道平边或V型槽。此平边或V型槽适用于作为晶碇的结晶方向的记号或适用于固定晶碇。

接着将晶碇切片，以获得多个晶片(Wafer)。举例来说，将晶碇切片的方法包括以刀具或钢线配合磨粒(例如钻石颗粒)的方式进行切割。一般而言，晶碇在切片后，藉由研磨工艺以调整晶片的厚度，同时研磨工艺也能使晶片的表面变得相对平整，然而，晶片在研磨的过程中，容易因为磨料或研磨产生的碎屑卡在晶片的表面，导致晶片的表面出现刮伤。

目前常见的晶片研磨工艺在将晶片加工至较薄的厚度时，容易因为加工的强度太大而导致晶片破裂。因此，延伸出一种应用于将晶片的厚度减薄至200微米以下(甚至是50微米以下)的太鼓研磨(Taiko grinding)工艺。在以太鼓研磨工艺研磨晶片的过程中，于晶片的边缘保留一定的厚度，藉此提升晶片的结构强度。然而这样的设计导致研磨或抛光晶片时所产生的细屑会因晶片边缘较厚而不能良好的排除。容易导致加工过程中容易对晶片造成不必要的刮伤及影响，严重破坏晶片的加工品质及几何形貌。因此，对于如何改善晶片在研磨或抛光时的排屑能力，成为当今仍待解决的问题。

发明内容

本发明提供一种晶片，能改善加工部分边缘出现刮伤的问题。

本发明的至少一实施例提供一种晶片。晶片包括环状部分以及加工部分。加工部分连接环状部分。加工部分具有经研磨的顶面以及相对于顶面的底面。加工部分被环状部分所环绕。顶面连接环状部分的区域为朝上弯曲的弧面，且弧面使加工部分在连接环状部分的局部区域的厚度随着接近环状部分而增加。

附图说明

图1是依照本发明的一实施例的一种晶片的研磨工艺的上视示意图；

图2是依照本发明的一实施例的一种晶片的剖面示意图；

图3是依照本发明的一实施例的一种晶片的剖面示意图；

图4是依照本发明的一实施例的一种晶片的加工部分的剖面的厚度分布的曲线图；

图5是依照本发明的一实施例的另一种晶片的加工部分的剖面的厚度分布的曲线图；

图6是依照本发明的一实施例的又一种晶片的加工部分的剖面的厚度分布的曲线图；

图7是依照本发明的一实施例的再一种晶片的加工部分的剖面的厚度分布的曲线图；

图8A是依照本发明的一实施例的一种晶片的局部区域的剖面示意图；

图8B是依照本发明的一比较例的一种晶片的局部区域的剖面示意图；