[发明专利]放大电路、控制方法和存储器

权利要求书

1.一种放大电路，与位线和互补位线耦合，其特征在于，包括：

感测放大电路，包括读出节点、互补读出节点、第一节点和第二节点，在感测放大阶段和偏移消除阶段，所述第一节点用于接收高电平，所述第二节点用于接收低电平；

隔离电路，与所述读出节点、所述互补读出节点、所述位线和所述互补位线耦合；所述隔离电路被配置为，在感测放大阶段，将所述读出节点耦合至所述位线，并将所述互补读出节点耦合至所述互补位线；

偏移消除电路，与所述位线、所述互补位线、所述读出节点、所述互补读出节点耦合；所述偏移消除电路被配置为，在偏移消除阶段，将所述位线耦合至所述互补读出节点，并将所述互补位线耦合至所述读出节点；

处理电路，耦合所述偏移消除电路，被配置为，获取存储器温度，并基于所述存储器温度，调整所述偏移消除阶段的持续时间。

2.根据权利要求1所述的放大电路，其特征在于，所述处理电路，包括：

温度检测电路，被配置为，获取所述存储器温度；

配置电路，耦合所述温度检测电路，被配置为，基于所述存储器温度获取对应于所述存储器温度的偏移消除时间；

控制电路，耦合所述配置电路和所述偏移消除电路，被配置为，在所述偏移消除阶段，提供所述偏移消除时间的偏移消除信号。

3.根据权利要求2所述的放大电路，其特征在于，包括：

若所述存储器温度升高，所述处理电路被配置为，基于所述存储器温度，缩短所述偏移消除阶段的持续时间；

若所述存储器温度降低，所述处理电路被配置为，基于所述存储器温度，延长所述偏移消除阶段的持续时间。

4.根据权利要求2所述的放大电路，其特征在于，包括：

所述偏移消除电路，包括：

第一偏移消除晶体管，源极或漏极中的其中一端子耦合所述位线，另一端子耦合所述互补读出节点，栅极用于接收所述偏移消除信号；

所述第一偏移消除晶体管被配置为，在所述偏移消除阶段，基于所述偏移消除信号导通，将所述互补读出节点耦合至所述位线；

第二偏移消除晶体管，源极或漏极中的其中一端子耦合所述互补位线，另一端子耦合所述读出节点，栅极用于接收所述偏移消除信号；

所述第二偏移消除晶体管被配置为，在所述偏移消除阶段，基于所述偏移消除信号导通，将所述读出节点耦合至所述互补位线。

5.根据权利要求2所述的放大电路，其特征在于，所述配置电路，包括：

存储子电路，被配置为，存储存储器温度与偏移消除时间的逻辑关系；

分析子电路，耦合所述温度检测电路和所述存储子电路；所述分析子电路被配置为，基于所述逻辑关系，获取所述存储器温度对应的所述偏移消除时间。

6.根据权利要求1所述的放大电路，其特征在于，还包括：

第一电源提供电路，与所述第一节点耦合，包括电源节点；所述第一电源提供电路被配置为，在所述偏移消除阶段和所述感测放大阶段，将所述电源节点耦合至所述第一节点；

第二电源提供电路，与所述第二节点耦合，包括地线节点；所述第一电源提供电路被配置为，在所述偏移消除阶段和所述感测放大阶段，将所述地线节点耦合至所述第二节点。

7.根据权利要求6所述的放大电路，其特征在于，包括：

所述第一电源提供电路包括：第一控制晶体管；

第一控制晶体管，源极或漏极的其中一端子耦合所述电源节点，另一端子耦合所述第一节点，栅极用于接收控制信号；

所述第二电源提供电路包括：第二控制晶体管；

第二控制晶体管，源极或漏极的其中一端子耦合所述第二节点，另一端子耦合所述地线节点，栅极用于接收所述控制信号；

所述控制信号用于，在所述偏移消除阶段和所述感测放大阶段，导通所述第一控制晶体管和所述第二控制晶体管。