[发明专利]miniLED晶圆的测试方法及装置

说明书

本发明公开了一种miniLED晶圆的测试方法及装置，涉及半导体光电器件测试领域。该测试方法包括：S1：以预设电信号驱动晶圆上的目标miniLED芯片，以测量该目标miniLED芯片的当前光电参数，所述当前光电参数与预设电信号一一对应；S2：实时判断当前光电参数是否位于预设阈值区间；S3：判断为是时，将该目标miniLED芯片的另一光电参数作为新的当前光电参数，并进入步骤S1，直至该miniLED芯片的所有光电参数均完成测量，则进入步骤S4；S4：判断为否时，将该晶圆上的另一miniLED芯片作为新的目标miniLED芯片，并进入步骤S1，直至晶圆上的所有miniLED芯片均完成测量。实施本发明，可大幅提升miniLED晶圆的测试效率。

技术领域

本发明涉及半导体光电器件测试领域，尤其涉及一种miniLED晶圆的测试方法及装置。

背景技术

在LED晶圆完成切割劈裂工艺后，会对晶圆中的每个晶粒(miniLED芯片)做光电参数的测试，以便后续的分选做晶粒分类(按不同光电参数分类出货)，同是确保出货的产品品质。目前传统的测试是将晶圆是所有LED芯片的所有光电参数进行测量，然后全输出后再进行判定。对于单一晶粒而言，其某一光电参数不在预设范围时，虽然其他光电参数均符合要求，但其仍然属于不合格晶粒；因此，全测全输出的方式显然降低了测试效率。尤其是miniLED芯片尺寸小，常见的3×4mi晶圆上miniLED芯片达到12万个，若全测全输出，测试时间长达7小时，显著降低了测试效率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种miniLED晶圆的测试方法，其测试效率高，测试准确性高。

本发明还要解决的技术问题在于，提供一种miniLED晶圆的测试装置。

为了解决上述问题，本发明公开了一种miniLED晶圆的测试方法，其包括：

S1：以预设电信号驱动晶圆上的目标miniLED芯片，以测量该目标miniLED芯片的当前光电参数，所述当前光电参数与预设电信号一一对应；

S2：实时判断当前光电参数是否位于预设阈值区间；

S3：判断为是时，将该目标miniLED芯片的另一光电参数作为新的当前光电参数，并进入步骤S1，直至该miniLED芯片的所有光电参数均完成测量，则进入步骤S4；

S4：判断为否时，将该晶圆上的另一miniLED芯片作为新的目标miniLED芯片，并进入步骤S1，直至晶圆上的所有miniLED芯片均完成测量。

作为上述技术方案的改进，在步骤S1之前还包括：以预设色阶的模板对晶圆进行扫描，获取所有miniLED芯片的位置坐标。

作为上述技术方案的改进，以预设色阶的模板对晶圆进行扫描，获取所有miniLED芯片的位置坐标的步骤包括：

以预设色阶的模板对晶圆进行扫描，获取晶圆上miniLED芯片的位置坐标，得到坐标库；

实时判断该坐标库是否完整覆盖该晶圆上的所有miniLED芯片的位置坐标；

判断为是时，停止扫描；

判断为否时，以另一预设色阶的模板对晶圆进行扫描，获取未覆盖位置处的miniLED芯片的位置坐标，并更新坐标库。

作为上述技术方案的改进，所述预设电信号包括电流和/或电压。

作为上述技术方案的改进，miniLED芯片的光电参数包括VF、VR、IF、IR、WLD、LOP、ESD中的一种或多种。

相应的，本发明还公开了一种miniLED晶圆的测试装置，包括：

测试模块，用于以预设电信号驱动目标miniLED芯片，以测量该miniLE芯片的当前光电参数；