[发明专利]芯片转移装置及转移方法在审
申请号: | 202210097175.3 | 申请日: | 2022-01-27 |
公开(公告)号: | CN114446859A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 彭志刚 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/48 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 方艳丽 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 转移 装置 方法 | ||
1.一种芯片转移装置,应用于显示面板,其特征在于,包括:
转移机构,包括转移板、设置在所述转移板内的通气内腔和与所述通气内腔连通的多个通气孔;以及
通气机构,与所述通气内腔连通,所述通气机构通过所述通气内腔和所述通气孔吸附或释放目标芯片。
2.根据权利要求1所述的芯片转移装置,其特征在于,所述转移板包括平面部和阵列设置在所述平面部上的多个凸出部;
其中,多个所述凸出部间隔设置,以及,所述通气内腔设置于所述平面部内,所述通气孔设置于所述凸出部内。
3.根据权利要求2所述的芯片转移装置,其特征在于,所述凸出部远离所述平面部的侧面上设置有定位槽组,所述定位槽组至少包括第一定位槽,所述通气孔与所述第一定位槽连通;
其中,在所述转移板的俯视图上,所述通气孔的正投影位于所述第一定位槽的正投影内。
4.根据权利要求3所述的芯片转移装置,其特征在于,所述定位槽组至少还包括第二定位槽,所述第二定位槽位于所述通气孔与所述第一定位槽之间;
在所述转移板的俯视图上,所述第二定位槽的正投影位于所述第一定位槽内,以及,所述第二定位槽与所述第一定位槽形成阶梯平台。
5.根据权利要求4所述的芯片转移装置,其特征在于,在垂直于所述转移板的方向上,所述第一定位槽的深度和所述第二定位槽的深度相异。
6.根据权利要求3所述的芯片转移装置,其特征在于,所述定位槽组的槽壁上设置有缓冲保护层,所述缓冲保护层为柔性材料层。
7.根据权利要求3所述的芯片转移装置,其特征在于,在垂直于所述转移板的方向上,所述通气内腔的高度小于所述通气孔的高度。
8.根据权利要求7所述的芯片转移装置,其特征在于,在所述转移板的俯视图方向上,所述通气内腔呈平面网格状,多个所述通气孔与所述通气内腔的网格节点对应。
9.根据权利要求2所述的芯片转移装置,其特征在于,在第一方向上,相邻的两个所述凸出部之间的间距大于所述凸出部沿垂直于所述转移板方向上的高度;
其中,所述第一方向为多个所述凸出部阵列排布的行方向或者列方向。
10.一种芯片转移方法,其特征在于,包括:
移动转移机构至原始衬底上方,使转移机构的通气孔与所述原始衬底上的目标芯片位置对应;
切换通气机构至吸气工作状态,以使所述转移机构的通气孔将所述原始衬底上的目标芯片进行真空吸附;
移动转移机构至接收基板上方,使转移机构吸附的目标芯片与所述接收基板上的芯片目标区域对应;
切换通气机构至放气工作状态,以使所述转移机构平衡所述通气孔与外界的气压,释放目标芯片至接收基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造