[发明专利]一种芯片封装中铝垫键合方法及其应用在审
| 申请号: | 202210087000.4 | 申请日: | 2022-01-25 |
| 公开(公告)号: | CN114496822A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
| 发明(设计)人: | 孔秋东;李灿;程飞;吕向东;任军 | 申请(专利权)人: | 恒烁半导体(合肥)股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/607 | 分类号: | H01L21/607;H01L23/488 |
| 代理公司: | 合肥陆纬知识产权代理事务所(普通合伙) 34218 | 代理人: | 袁浩 |
| 地址: | 230012 安徽省合肥市庐阳区天*** | 国省代码: | 安徽;34 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 芯片 封装 中铝垫键合 方法 及其 应用 | ||
1.一种芯片封装中铝垫键合方法,其特征在于,所述铝垫尺寸不超过50μm×50μm,所述方法包括以下步骤:
在预设温度下,通过打火杆在磁嘴前烧球;
设置劈刀压力31-36g,并在预设超声强度和键合时间下,将劈刀下降到芯片的铝垫上,形成焊点。
2.根据权利要求1所述的一种芯片封装中铝垫键合方法,其特征在于,所述铝垫尺寸为45μm×45μm。
3.根据权利要求2所述的一种芯片封装中铝垫键合方法,其特征在于,所述劈刀内穿焊线,所述焊线为0.7mil的镀钯铜线。
4.根据权利要求3所述的一种芯片封装中铝垫键合方法,其特征在于,所述预设温度为195-205℃。
5.根据权利要求4所述的一种芯片封装中铝垫键合方法,其特征在于,所述超声强度包括第一超声强度和第二超声强度,所述第一超声强度为37-45mAmps,所述第二超声强度为56-65mAmps;
所述键合时间包括分别匹配第一超声强度和第二超声强度的第一键合时间和第二键合时间,所述第一键合时间和第二键合时间均为13-17ms。
6.根据权利要求5所述的一种芯片封装中铝垫键合方法,其特征在于,所述在预设超声强度和键合时间下,将劈刀下降到芯片的铝垫上,形成焊点具体包括:
在焊球刚接触到铝垫时,施加第一超声强度的超声波,时长为第一键合时间;
随即施加第二超声强度的超声波,时长为第二键合时间。
7.根据权利要求6所述的一种芯片封装中铝垫键合方法,其特征在于,所述方法还包括以下步骤:
在焊点形成后劈刀牵引焊线上升;
劈刀继续牵引焊线形成焊线弧度;
劈刀下降到框架上形成焊接;
劈刀侧向划开,将焊线切断形成鱼尾;
检查整体键合结果。
8.一种芯片,其特征在于,采用如权利要求1-7任意一项所述的方法进行封装作业。
9.一种电子装置,其特征在于,包括如权利要求8所述的芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恒烁半导体(合肥)股份有限公司,未经恒烁半导体(合肥)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210087000.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种证件照抠图方法及系统
- 下一篇:交易处理方法、装置、设备及存储介质
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





